Diodes - Rectificadors - Individuals

Casa
Diodes - Rectificadors - Individuals

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY268TAP

Stock Part: 122912

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 800mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 400mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 400ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-050-TR

Stock Part: 170832

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 55V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.07V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51D-TR

Stock Part: 169988

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TR

Stock Part: 158535

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 2400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 350mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 3.6V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 5µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV12-TAP

Stock Part: 133807

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 300ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV37-TR

Stock Part: 166239

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 300ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53A-TAP

Stock Part: 162849

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.9A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TR

Stock Part: 154344

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 100ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY448TAP

Stock Part: 127685

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1500V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX83TAP

Stock Part: 178566

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52A-TAP

Stock Part: 107418

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51B-TAP

Stock Part: 155091

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53F-TAP

Stock Part: 140893

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.9A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51J-TR

Stock Part: 113210

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54K-TR

Stock Part: 120137

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 100ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX83TR

Stock Part: 176417

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53B-TR

Stock Part: 161256

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.9A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX84TR

Stock Part: 147051

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53C-TAP

Stock Part: 127986

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.9A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TR

Stock Part: 178212

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54D-TR

Stock Part: 142835

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 100ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV12-TR

Stock Part: 156566

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 300ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53B-TAP

Stock Part: 198030

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.9A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY527TR

Stock Part: 197736

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.65V @ 10A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY458TR

Stock Part: 132572

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-12STAP

Stock Part: 198779

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.4V @ 200mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 300ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW35-TR

Stock Part: 168310

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 500V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX84TAP

Stock Part: 129025

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51A-TAP

Stock Part: 197129

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51M-TAP

Stock Part: 143955

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY527TAP

Stock Part: 135313

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.65V @ 10A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51G-TAP

Stock Part: 191378

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV13-TAP

Stock Part: 199601

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 300ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX82TAP

Stock Part: 116196

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

BYM12-300-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-300-E3/96

Stock Part: 143123

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

BYM12-400HE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-400HE3_A/I

Stock Part: 205

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

3600

«
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
»