Diodes - Rectificadors - Individuals | Productes de semiconductors discrets | 100

BYM12-300HE3_A/H

Stock Part: 273

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-200HE3/97

Stock Part: 146674

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-800-E3/96

Stock Part: 150291

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46-TAP

Stock Part: 108452

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 250mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT81S-TAP

Stock Part: 154468

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 15mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT82S-TR

Stock Part: 158822

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 15mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20-TAP

Stock Part: 159155

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46-TR

Stock Part: 197051

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT86S-TR

Stock Part: 122405

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT41-TR

Stock Part: 119842

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAY135-TAP

Stock Part: 148532

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 125V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 30mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT83S-TAP

Stock Part: 128512

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 15mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT41-TAP

Stock Part: 196580

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43-TR

Stock Part: 102104

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 15mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT86S-TAP

Stock Part: 107935

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV18-TR

Stock Part: 101978

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS33-TAP

Stock Part: 109507

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT85S-TR

Stock Part: 182695

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV17-TAP

Stock Part: 142042

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS34-TR

Stock Part: 194217

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43-TAP

Stock Part: 116168

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 15mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV18-TAP

Stock Part: 118002

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42-TAP

Stock Part: 110674

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 50mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT82S-TAP

Stock Part: 116604

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 15mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19-TAP

Stock Part: 189935

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV17-TR

Stock Part: 111895

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS581-02V-V-G-08

Stock Part: 123251

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 370mV @ 1mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-02V-V-G-08

Stock Part: 184839

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-M3/TR

Stock Part: 175613

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHE3_A/I

Stock Part: 130523

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 120ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHE3_A/H

Stock Part: 112559

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-E3/TR3

Stock Part: 191280

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR3

Stock Part: 131337

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 1.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR

Stock Part: 166092

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 1.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHM3_A/I

Stock Part: 116282

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 140ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHE3_A/I

Stock Part: 173970

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió