Transistors: FET, MOSFET: senzill

Casa
Transistors: FET, MOSFET: senzill

SI7317DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7317DN-T1-GE3

Stock Part: 140959

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 150V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SIHFR1N60A-GE3

Stock Part: 9973

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V,

Cessió

SUM110N03-04P-E3

Vishay Siliconix

SUM110N03-04P-E3

Stock Part: 1412

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SIHD6N62E-GE3

Stock Part: 10246

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3A, 10V,

Cessió

SIE820DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE820DF-T1-GE3

Stock Part: 1474

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 18A, 4.5V,

Cessió

SI3476DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3476DV-T1-GE3

Stock Part: 108008

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 80V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 3.5A, 10V,

Cessió

SIRA52DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRA52DP-T1-GE3

Stock Part: 118887

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió

SI3443CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3443CDV-T1-GE3

Stock Part: 193900

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.97A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFP460APBF

Stock Part: 17996

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 12A, 10V,

Cessió

SI2371EDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2371EDS-T1-GE3

Stock Part: 147875

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.7A, 10V,

Cessió

SIS435DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS435DNT-T1-GE3

Stock Part: 181027

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 13A, 4.5V,

Cessió

Vishay Siliconix

SI8439DB-T1-E1

Stock Part: 114810

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 8V, Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.2V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Cessió

SI7812DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7812DN-T1-GE3

Stock Part: 73609

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.2A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SI7463DP-T1-E3

Stock Part: 62425

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 18.6A, 10V,

Cessió

SQ7415AENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ7415AENW-T1_GE3

Stock Part: 9941

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5.7A, 10V,

Cessió

SI7655DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7655DN-T1-GE3

Stock Part: 93051

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

SI2319DDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2319DDS-T1-GE3

Stock Part: 9907

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.7A, 10V,

Cessió

SUP90N06-5M0P-E3

Vishay Siliconix

SUP90N06-5M0P-E3

Stock Part: 1405

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SIHU2N80E-GE3

Stock Part: 10077

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 800V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.75 Ohm @ 1A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFR9010TRLPBF

Stock Part: 108086

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 2.8A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFS11N50APBF

Stock Part: 23664

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6.6A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SIHP25N40D-GE3

Stock Part: 21622

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 400V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 13A, 10V,

Cessió

SI5441BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5441BDC-T1-GE3

Stock Part: 139892

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V,

Cessió

SI3437DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3437DV-T1-GE3

Stock Part: 195411

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 150V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.4A, 10V,

Cessió

SQ3481EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ3481EV-T1_GE3

Stock Part: 9951

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5.3A, 10V,

Cessió

SIR460DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR460DP-T1-GE3

Stock Part: 139904

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió

SIR172ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR172ADP-T1-GE3

Stock Part: 167026

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SUD45P03-10-E3

Stock Part: 1457

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SIHD6N80E-GE3

Stock Part: 12856

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 800V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 3A, 10V,

Cessió

SQJ433EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ433EP-T1_GE3

Stock Part: 9965

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 16A, 10V,

Cessió

SIR662DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR662DP-T1-GE3

Stock Part: 76185

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

SI3469DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3469DV-T1-GE3

Stock Part: 153423

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.7A, 10V,

Cessió

SQJA80EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJA80EP-T1_GE3

Stock Part: 136685

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 80V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

SIJ438DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIJ438DP-T1-GE3

Stock Part: 95214

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.35 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

SQJ463EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ463EP-T1_GE3

Stock Part: 47733

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 18A, 10V,

Cessió

SI7114ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7114ADN-T1-GE3

Stock Part: 191391

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 18A, 10V,

Cessió

3600

«
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
»