Transistors: FET, MOSFET: senzill

IRFD014PBF

IRFD014PBF

Stock Part: 73268

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1A, 10V,

Cessió
IRFP21N60L

IRFP21N60L

Stock Part: 1784

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 13A, 10V,

Cessió
IRFR9120TRPBF

IRFR9120TRPBF

Stock Part: 165696

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.4A, 10V,

Cessió
VQ1004P-E3

VQ1004P-E3

Stock Part: 1816

Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V,

Cessió
IRFR420PBF

IRFR420PBF

Stock Part: 72592

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.4A, 10V,

Cessió
IRFD9024PBF

IRFD9024PBF

Stock Part: 42878

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 960mA, 10V,

Cessió
IRFR9010TRPBF

IRFR9010TRPBF

Stock Part: 152639

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 2.8A, 10V,

Cessió
SIS448DN-T1-GE3

SIS448DN-T1-GE3

Stock Part: 1792

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió
SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

Stock Part: 8648

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 620V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3A, 10V,

Cessió
SI4752DY-T1-GE3

SI4752DY-T1-GE3

Stock Part: 1820

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió
SI8809EDB-T2-E1

SI8809EDB-T2-E1

Stock Part: 119306

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Cessió
SQD40N10-25_GE3

SQD40N10-25_GE3

Stock Part: 24078

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 40A, 10V,

Cessió
SIR172DP-T1-GE3

SIR172DP-T1-GE3

Stock Part: 114016

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 16.1A, 10V,

Cessió
SIS334DN-T1-GE3

SIS334DN-T1-GE3

Stock Part: 1827

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11.3 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió
SUP53P06-20-E3

SUP53P06-20-E3

Stock Part: 27642

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Ta), 53A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
IRFD9210PBF

IRFD9210PBF

Stock Part: 81456

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 240mA, 10V,

Cessió
IRFP9240PBF

IRFP9240PBF

Stock Part: 24942

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 7.2A, 10V,

Cessió
SIR814DP-T1-GE3

SIR814DP-T1-GE3

Stock Part: 6208

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
SIHB30N60E-E3

SIHB30N60E-E3

Stock Part: 1821

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió
IRFU120PBF

IRFU120PBF

Stock Part: 73325

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 4.6A, 10V,

Cessió
IRFBG30PBF

IRFBG30PBF

Stock Part: 36619

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1000V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1.9A, 10V,

Cessió
SUP85N03-3M6P-GE3

SUP85N03-3M6P-GE3

Stock Part: 39851

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 85A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 22A, 10V,

Cessió
VP0300B-E3

VP0300B-E3

Stock Part: 1813

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1A, 12V,

Cessió
SIR330DP-T1-GE3

SIR330DP-T1-GE3

Stock Part: 1778

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió
VP1008B

VP1008B

Stock Part: 1827

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 790mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

Cessió
SIS330DN-T1-GE3

SIS330DN-T1-GE3

Stock Part: 1838

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió
IRFBC40PBF

IRFBC40PBF

Stock Part: 38979

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V,

Cessió
SQD50N04-5M6_GE3

SQD50N04-5M6_GE3

Stock Part: 97860

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
SI4842BDY-T1-E3

SI4842BDY-T1-E3

Stock Part: 61676

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
SIHJ10N60E-T1-GE3

SIHJ10N60E-T1-GE3

Stock Part: 22827

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 5A, 10V,

Cessió
SI4490DY-T1-E3

SI4490DY-T1-E3

Stock Part: 93624

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.85A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4A, 10V,

Cessió
SUD40N04-10A-E3

SUD40N04-10A-E3

Stock Part: 1469

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 40A, 10V,

Cessió
SI3460DV-T1-GE3

SI3460DV-T1-GE3

Stock Part: 101186

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

Cessió
SIR890DP-T1-GE3

SIR890DP-T1-GE3

Stock Part: 54226

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió
VS-FA38SA50LCP

VS-FA38SA50LCP

Stock Part: 1923

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 23A, 10V,

Cessió
VS-FB180SA10P

VS-FB180SA10P

Stock Part: 1909

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 180A, 10V,

Cessió