Transistors: FET, MOSFET: senzill

Casa
Transistors: FET, MOSFET: senzill

SIS782DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS782DN-T1-GE3

Stock Part: 9904

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

SIA850DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA850DJ-T1-GE3

Stock Part: 1464

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 190V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 950mA (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V,

Cessió

SIDR626DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIDR626DP-T1-GE3

Stock Part: 9959

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 42.8A (Ta), 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

SI3407DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3407DV-T1-GE3

Stock Part: 142996

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFRC20TRRPBF

Stock Part: 84916

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRLZ34PBF

Stock Part: 42900

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18A, 5V,

Cessió

SIDR668DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIDR668DP-T1-GE3

Stock Part: 9965

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 23.2A (Ta), 95A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 7.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SIHU6N80E-GE3

Stock Part: 9998

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 800V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 3A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFR010PBF

Stock Part: 112442

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

Cessió

SIE876DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE876DF-T1-GE3

Stock Part: 1473

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

SQ3419EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SQ3419EEV-T1-GE3

Stock Part: 1244

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.4A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 10V,

Cessió

SQS484EN-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQS484EN-T1_GE3

Stock Part: 191306

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 16.4A, 10V,

Cessió

SIA432DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA432DJ-T1-GE3

Stock Part: 148604

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFZ34PBF

Stock Part: 44152

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18A, 10V,

Cessió

SI2337DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2337DS-T1-GE3

Stock Part: 163989

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 80V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V,

Cessió

SQ3442EV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SQ3442EV-T1-GE3

Stock Part: 1221

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 4.5V,

Cessió

SIHA25N60EFL-E3

Vishay Siliconix

SIHA25N60EFL-E3

Stock Part: 14046

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 12.5A, 10V,

Cessió

SI7772DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7772DP-T1-GE3

Stock Part: 194051

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 35.6A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió

SISA26DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISA26DN-T1-GE3

Stock Part: 9988

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió

SI4410BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4410BDY-T1-E3

Stock Part: 144634

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFU9120PBF

Stock Part: 43383

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.4A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFR420TRLPBF

Stock Part: 93110

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.4A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SI7738DP-T1-E3

Stock Part: 43974

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 150V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 7.7A, 10V,

Cessió

SI8416DB-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI8416DB-T1-GE3

Stock Part: 6167

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 8V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.2V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Cessió

SQ7415AEN-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ7415AEN-T1_GE3

Stock Part: 142943

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5.7A, 10V,

Cessió

SQS420EN-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQS420EN-T1_GE3

Stock Part: 191334

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 4.5V,

Cessió

Vishay Siliconix

SI1406DH-T1-E3

Stock Part: 1472

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.9A, 4.5V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF9520PBF

Stock Part: 72559

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.1A, 10V,

Cessió

SI2319DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2319DS-T1-GE3

Stock Part: 164425

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 3A, 10V,

Cessió

SI7892BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7892BDP-T1-GE3

Stock Part: 104599

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFR024TRLPBF

Stock Part: 91025

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFR214TRLPBF

Stock Part: 113500

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.3A, 10V,

Cessió

SIR698DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR698DP-T1-GE3

Stock Part: 125808

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 2.5A, 10V,

Cessió

SI7464DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7464DP-T1-GE3

Stock Part: 80856

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 2.8A, 10V,

Cessió

SQ3418EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ3418EV-T1_GE3

Stock Part: 9903

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V,

Cessió

SIS456DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS456DN-T1-GE3

Stock Part: 164051

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

3600

«
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
»