Transistors: FET, MOSFET: senzill | Productes de semiconductors discrets | 100

IRFZ48RPBF

Stock Part: 45978

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 43A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFI9Z34GPBF

Stock Part: 22202

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 7.2A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF9630SPBF

Stock Part: 24934

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 3.9A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRLIZ14GPBF

Stock Part: 37823

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.8A, 5V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFI614GPBF

Stock Part: 91912

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.1A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.3A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFZ24SPBF

Stock Part: 26923

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFI9640GPBF

Stock Part: 20082

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.1A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3.7A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SIHA15N65E-GE3

Stock Part: 5340

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 650V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 8A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFI840GPBF

Stock Part: 29973

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 2.8A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFBC40ASPBF

Stock Part: 14924

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFP150PBF

Stock Part: 20959

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 41A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF840ALPBF

Stock Part: 23829

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF730SPBF

Stock Part: 27956

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 400V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SIHB25N50E-GE3

Stock Part: 4323

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFI620GPBF

Stock Part: 45574

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.5A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SIHA14N60E-E3

Stock Part: 28114

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 309 mOhm @ 7A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFU014PBF

Stock Part: 55971

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SIHB16N50C-E3

Stock Part: 20505

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 8A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFI644GPBF

Stock Part: 30443

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.9A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.7A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SIHA22N60AE-E3

Stock Part: 18399

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SIHF12N50C-E3

Stock Part: 25250

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 555 mOhm @ 4A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFR430APBF

Stock Part: 34886

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 3A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SIHG23N60E-GE3

Stock Part: 14167

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 158 mOhm @ 12A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF830ASPBF

Stock Part: 40723

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 3A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF840LCLPBF

Stock Part: 44980

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFP450APBF

Stock Part: 22909

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 8.4A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFIB6N60APBF

Stock Part: 15895

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 3.3A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF820ASPBF

Stock Part: 39205

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFBC30PBF

Stock Part: 48217

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFD020PBF

Stock Part: 47636

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.4A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFBE30LPBF

Stock Part: 23371

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 800V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2.5A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SIHF18N50D-E3

Stock Part: 22876

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 9A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF614SPBF

Stock Part: 38420

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.6A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFZ44SPBF

Stock Part: 23892

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 31A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SI8447DB-T2-E1

Stock Part: 2068

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.7V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 1A, 4.5V,

Cessió

Vishay Siliconix

SIS612EDNT-T1-GE3

Stock Part: 182245

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 14A, 4.5V,

Cessió