Transistors: FET, MOSFET: senzill

2SK3566(STA4,Q,M)

2SK3566(STA4,Q,M)

Stock Part: 385

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 900V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 1.5A, 10V,

Cessió
2SJ168TE85LF

2SJ168TE85LF

Stock Part: 341

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 10V,

Cessió
2SJ305TE85LF

2SJ305TE85LF

Stock Part: 422

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 50mA, 2.5V,

Cessió
2SK2009TE85LF

2SK2009TE85LF

Stock Part: 425

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50MA, 2.5V,

Cessió
2SK3564(STA4,Q,M)

2SK3564(STA4,Q,M)

Stock Part: 36814

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 900V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V,

Cessió
2SK2034TE85LF

2SK2034TE85LF

Stock Part: 2095

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 2.5V,

Cessió
2SK2035(T5L,F,T)

2SK2035(T5L,F,T)

Stock Part: 1665

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 2.5V,

Cessió
2SK1829TE85LF

2SK1829TE85LF

Stock Part: 1614

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 40 Ohm @ 10mA, 2.5V,

Cessió
2SK3309(TE24L,Q)

2SK3309(TE24L,Q)

Stock Part: 1621

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 450V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5A, 10V,

Cessió
2SK2967(F)

2SK2967(F)

Stock Part: 6205

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió
2SK4021(Q)

2SK4021(Q)

Stock Part: 783

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V,

Cessió
2SK4017(Q)

2SK4017(Q)

Stock Part: 100330

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.5A, 10V,

Cessió