Transistors: FET, MOSFET: senzill

Casa
Transistors: FET, MOSFET: senzill

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K202FE,LF

Stock Part: 167951

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 1.5A, 4V,

Cessió

TPCA8010-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8010-H(TE12LQM

Stock Part: 643

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 2.7A, 10V,

Cessió

TPC8042(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8042(TE12L,Q,M)

Stock Part: 758

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 9A, 10V,

Cessió

TPC8113(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8113(TE12L,Q)

Stock Part: 625

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 5.5A, 10V,

Cessió

TPC8051-H(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8051-H(TE12L,Q)

Stock Part: 764

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 80V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 6.5A, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J216FE,LF

Stock Part: 13269

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

Cessió

TPCA8005-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8005-H(TE12LQM

Stock Part: 644

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 14A, 10V,

Cessió

TPCA8105(TE12L,Q,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8105(TE12L,Q,M

Stock Part: 711

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 3A, 4.5V,

Cessió

TPCA8036-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8036-H(TE12L,Q

Stock Part: 729

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 38A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 19A, 10V,

Cessió

TPC8014(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8014(TE12L,Q,M)

Stock Part: 630

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 5.5A, 10V,

Cessió

TPCA8008-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8008-H(TE12LQM

Stock Part: 655

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 580 mOhm @ 2A, 10V,

Cessió

TPCA8012-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8012-H(TE12LQM

Stock Part: 634

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

TK50P04M1(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK50P04M1(T6RSS-Q)

Stock Part: 185151

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

TPCP8003-H(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8003-H(TE85L,F

Stock Part: 798

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.1A, 10V,

Cessió

TPC8036-H(TE12L,QM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8036-H(TE12L,QM

Stock Part: 6159

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 9A, 10V,

Cessió

TPCA8103(TE12L,Q,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8103(TE12L,Q,M

Stock Part: 630

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

SSM5N15FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM5N15FE(TE85L,F)

Stock Part: 164036

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V,

Cessió

TPC8021-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8021-H(TE12LQ,M

Stock Part: 614

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 5.5A, 10V,

Cessió

TPCA8003-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8003-H(TE12LQM

Stock Part: 635

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 18A, 10V,

Cessió

TPC8026(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8026(TE12L,Q,M)

Stock Part: 726

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 6.5A, 10V,

Cessió

TPC8022-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8022-H(TE12LQ,M

Stock Part: 687

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 3.8A, 10V,

Cessió

TPCA8A01-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8A01-H(TE12L,Q

Stock Part: 677

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 18A, 10V,

Cessió

TPC8038-H(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8038-H(TE12L,Q)

Stock Part: 677

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11.4 mOhm @ 6A, 10V,

Cessió

TPCP8001-H(TE85LFM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8001-H(TE85LFM

Stock Part: 692

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.2A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 3.6A, 10V,

Cessió

TPCA8A04-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8A04-H(TE12L,Q

Stock Part: 747

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 44A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 22A, 10V,

Cessió

TPCA8031-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8031-H(TE12L,Q

Stock Part: 612

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

Cessió

TPCF8102(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8102(TE85L,F,M

Stock Part: 637

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 3A, 4.5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TK70D06J1(Q)

Stock Part: 6092

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 70A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 35A, 10V,

Cessió

SSM6J213FE(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J213FE(TE85L,F

Stock Part: 116856

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 103 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Cessió

TPC8031-H(TE12LQM)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8031-H(TE12LQM)

Stock Part: 703

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13.3 mOhm @ 5.5A, 10V,

Cessió

TPCP8005-H(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8005-H(TE85L,F

Stock Part: 736

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 5.5A, 10V,

Cessió

TPC8032-H(TE12LQM)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8032-H(TE12LQM)

Stock Part: 631

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 7.5A, 10V,

Cessió

TPC8110(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8110(TE12L,Q,M)

Stock Part: 616

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 4A, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TK5P60W,RVQ

Stock Part: 90358

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.7A, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TK8P60W5,RVQ

Stock Part: 102262

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 4A, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TK20J60U(F)

Stock Part: 12228

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

741

«
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
»