Transistors: FET, MOSFET: senzill

Casa
Transistors: FET, MOSFET: senzill

Texas Instruments

CSD25501F3T

Stock Part: 25305

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Cessió

Texas Instruments

CSD15380F3T

Stock Part: 198409

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 8V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1190 mOhm @ 100mA, 8V,

Cessió

Texas Instruments

CSD25213W10

Stock Part: 116507

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 1A, 4.5V,

Cessió

Texas Instruments

CSD17382F4

Stock Part: 120890

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 8V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 500mA, 8V,

Cessió

Texas Instruments

CSD23202W10T

Stock Part: 155754

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Cessió

Texas Instruments

CSD23285F5T

Stock Part: 185252

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 1A, 4.5V,

Cessió

Texas Instruments

CSD23280F3T

Stock Part: 135142

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 116 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Cessió

Texas Instruments

CSD18504Q5A

Stock Part: 177977

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 17A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD13380F3

Stock Part: 176607

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Cessió

Texas Instruments

CSD16404Q5A

Stock Part: 168237

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 81A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD17309Q3

Stock Part: 156654

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 3V, 8V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 18A, 8V,

Cessió

Texas Instruments

CSD18540Q5B

Stock Part: 67662

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 28A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD17382F4T

Stock Part: 195986

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 8V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 500mA, 8V,

Cessió

Texas Instruments

CSD18501Q5A

Stock Part: 100862

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD17551Q5A

Stock Part: 179129

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 11A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD18540Q5BT

Stock Part: 42030

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 28A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD13381F4T

Stock Part: 165664

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Cessió

Texas Instruments

CSD17381F4T

Stock Part: 144152

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 109 mOhm @ 500mA, 8V,

Cessió

Texas Instruments

CSD25483F4

Stock Part: 144306

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 205 mOhm @ 500mA, 8V,

Cessió

Texas Instruments

CSD17307Q5A

Stock Part: 190878

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 73A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 3V, 8V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 11A, 8V,

Cessió

Texas Instruments

CSD17313Q2

Stock Part: 170829

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 3V, 8V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 8V,

Cessió

Texas Instruments

CSD18503Q5A

Stock Part: 127319

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 22A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD25480F3T

Stock Part: 153462

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 8V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 132 mOhm @ 400mA, 8V,

Cessió

Texas Instruments

CSD16406Q3

Stock Part: 158578

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD18537NQ5A

Stock Part: 106190

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 12A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD18533Q5A

Stock Part: 127318

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 18A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD19533Q5A

Stock Part: 121932

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 13A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD17483F4T

Stock Part: 122574

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 8V,

Cessió

Texas Instruments

CSD19531Q5AT

Stock Part: 59729

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 16A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD17551Q3A

Stock Part: 136111

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 11A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD19534Q5A

Stock Part: 172649

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 15.1 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD18543Q3AT

Stock Part: 118711

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 15.6 mOhm @ 12A, 4.5V,

Cessió

Texas Instruments

CSD23382F4

Stock Part: 169533

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Cessió

Texas Instruments

CSD18563Q5A

Stock Part: 100788

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 18A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD18532Q5B

Stock Part: 69282

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD17381F4

Stock Part: 171942

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 109 mOhm @ 500mA, 8A,

Cessió

278

«
1
2
3
4
5
6
7
8
»