Transistors: FET, MOSFET: senzill | Productes de semiconductors discrets | 8

CSD18537NQ5AT

Stock Part: 116440

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 12A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD17570Q5B

Stock Part: 72095

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 0.69 mOhm @ 50A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD19531Q5A

Stock Part: 97425

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 16A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD17575Q3

Stock Part: 165612

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD17577Q3A

Stock Part: 143408

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 16A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD19534Q5AT

Stock Part: 97991

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 15.1 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD18563Q5AT

Stock Part: 55811

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 18A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD17308Q3T

Stock Part: 120521

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 44A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 3V, 8V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10.3 mOhm @ 10A, 8V,

Cessió

Texas Instruments

CSD17579Q3AT

Stock Part: 170338

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10.2 mOhm @ 8A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD16403Q5A

Stock Part: 100613

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD13383F4T

Stock Part: 101961

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Cessió

Texas Instruments

CSD23285F5

Stock Part: 190874

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 1A, 4.5V,

Cessió

Texas Instruments

CSD19537Q3

Stock Part: 144939

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD13380F3T

Stock Part: 102111

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Cessió

Texas Instruments

CSD16556Q5B

Stock Part: 68205

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.07 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD25483F4T

Stock Part: 111379

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 205 mOhm @ 500mA, 8V,

Cessió

Texas Instruments

CSD23381F4T

Stock Part: 155798

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Cessió

Texas Instruments

CSD17313Q2Q1T

Stock Part: 159465

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 3V, 8V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 8V,

Cessió

Texas Instruments

CSD19538Q2

Stock Part: 114778

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14.4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 5A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD25485F5

Stock Part: 145128

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 8V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 900mA, 8V,

Cessió

Texas Instruments

CSD17573Q5B

Stock Part: 97635

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 35A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD18542KTT

Stock Part: 56700

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 100A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD19537Q3T

Stock Part: 91604

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD19538Q3AT

Stock Part: 172333

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 5A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD22205L

Stock Part: 25896

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 8V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9.9 mOhm @ 1A, 4.5V,

Cessió

Texas Instruments

CSD16321Q5C

Stock Part: 86833

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 3V, 8V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 8V,

Cessió

Texas Instruments

CSD25404Q3T

Stock Part: 81128

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 104A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 4.5V,

Cessió

Texas Instruments

CSD16301Q2

Stock Part: 109980

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 3V, 8V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 4A, 8V,

Cessió

Texas Instruments

CSD13385F5T

Stock Part: 157232

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 900mA, 4.5V,

Cessió

Texas Instruments

CSD25481F4T

Stock Part: 101972

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 500mA, 8V,

Cessió

Texas Instruments

CSD17506Q5A

Stock Part: 111068

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD16570Q5BT

Stock Part: 47992

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 0.59 mOhm @ 50A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD18543Q3A

Stock Part: 193790

Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD17573Q5BT

Stock Part: 54070

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 35A, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD17585F5T

Stock Part: 196285

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 900mA, 10V,

Cessió

Texas Instruments

CSD17578Q3A

Stock Part: 191659

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió