Diodes - Rectificadors - Individuals | Productes de semiconductors discrets | 100

UGA8120 C0G

Stock Part: 90

Tipus de díode: Standard, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.8V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 70ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

LSR102 L0G

Stock Part: 162

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF803G C0G

Stock Part: 98

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF5150 C0G

Stock Part: 133

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.02V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DLW RVG

Stock Part: 88

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF750HC0G

Stock Part: 83

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 7.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 7.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF16100HC0G

Stock Part: 87

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 16A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF808GHC0G

Stock Part: 146

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1005GA C0G

Stock Part: 99

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF502GHC0G

Stock Part: 164

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10150HC0G

Stock Part: 107

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.05V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1004G MNG

Stock Part: 106

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SF2005G C0G

Stock Part: 83

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10200HC0G

Stock Part: 77

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.05V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF503G C0G

Stock Part: 156

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF801G C0G

Stock Part: 141

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

UF1GLW RVG

Stock Part: 137

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 20ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1004GA C0G

Stock Part: 135

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

UG12J C0G

Stock Part: 92

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2V @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 20ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2006G C0G

Stock Part: 137

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF807GHC0G

Stock Part: 90

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 500V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1GFS MXG

Stock Part: 148

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF506G C0G

Stock Part: 117

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 2.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1005GHC0G

Stock Part: 76

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

HERA802G C0G

Stock Part: 65

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

S1MFS MXG

Stock Part: 78

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1660 C0G

Stock Part: 102

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 16A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1606GHC0G

Stock Part: 122

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 16A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF16150 C0G

Stock Part: 113

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 16A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1DLW RVG

Stock Part: 148

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF5100HC0G

Stock Part: 132

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1001GHC0G

Stock Part: 139

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF1005G C0G

Stock Part: 74

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20100HC0G

Stock Part: 98

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF801G C0G

Stock Part: 143

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

S1KLWHRVG

Stock Part: 137

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió