Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
HT14G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HT14G A1G

Stock Part: 103

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
MBRF7100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF7100HC0G

Stock Part: 147

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 7.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 7.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SFAF802G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF802G C0G

Stock Part: 124

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
MBRF1690HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1690HC0G

Stock Part: 156

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 16A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SFAF2003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2003G C0G

Stock Part: 115

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SFAF801GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF801GHC0G

Stock Part: 85

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
S1GLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLS RVG

Stock Part: 99

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1.2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SFF1002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1002GHC0G

Stock Part: 74

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
HERA803G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERA803G C0G

Stock Part: 153

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
SFAF806GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF806GHC0G

Stock Part: 87

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
MBRF1050HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1050HC0G

Stock Part: 97

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS115LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS115LS RVG

Stock Part: 86

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SFAS804GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS804GHMNG

Stock Part: 86

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SFAF1002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1002GHC0G

Stock Part: 98

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SFF1608G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1608G C0G

Stock Part: 145

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
RS1DFS MXG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DFS MXG

Stock Part: 120

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió
UGF12JDHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF12JDHC0G

Stock Part: 66

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 3.1V @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 45ns,

Cessió
MUR160A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160A A0G

Stock Part: 138

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
HERA804G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERA804G C0G

Stock Part: 69

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
SFF508G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF508G C0G

Stock Part: 160

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 2.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
HERAF1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF1008G C0G

Stock Part: 163

Tipus de díode: Standard, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 80ns,

Cessió
SFF2003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2003G C0G

Stock Part: 119

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SFAF2008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2008G C0G

Stock Part: 86

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
LSR103 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

LSR103 L0G

Stock Part: 138

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
UGA15120HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGA15120HC0G

Stock Part: 110

Tipus de díode: Standard, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.9V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 65ns,

Cessió
SFF1007GA C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1007GA C0G

Stock Part: 85

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 500V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
MBR1635HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1635HC0G

Stock Part: 145

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 630mV @ 16A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SFAF1008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1008GHC0G

Stock Part: 90

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SFF2002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2002GHC0G

Stock Part: 74

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
S1DLS RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DLS RQG

Stock Part: 117

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1.2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SFF2004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2004GHC0G

Stock Part: 107

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
MBRF790 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF790 C0G

Stock Part: 151

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 7.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 7.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF1635HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1635HC0G

Stock Part: 137

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 630mV @ 16A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF1035 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1035 C0G

Stock Part: 156

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S1GLSHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLSHRQG

Stock Part: 118

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1.2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF760 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF760 C0G

Stock Part: 155

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 7.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 7.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió