Diodes - Rectificadors - Individuals | Productes de semiconductors discrets | 100

MBRF2035HC0G

Stock Part: 132

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1003G C0G

Stock Part: 150

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2045HC0G

Stock Part: 91

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2007GHC0G

Stock Part: 67

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 500V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF16100 C0G

Stock Part: 97

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 16A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

S1JLWHRVG

Stock Part: 155

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SK15H45 R0G

Stock Part: 107

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 560mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS808GHMNG

Stock Part: 70

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1005GAHC0G

Stock Part: 123

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1690HC0G

Stock Part: 78

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 16A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2003GHC0G

Stock Part: 66

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DFSHMXG

Stock Part: 144

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1003G C0G

Stock Part: 78

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1002GAHC0G

Stock Part: 75

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20100 C0G

Stock Part: 116

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10100HMNG

Stock Part: 114

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF12JHC0G

Stock Part: 153

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2V @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 20ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

HT18G A0G

Stock Part: 89

Tipus de díode: Standard, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF507GHC0G

Stock Part: 150

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 500V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 2.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS806G MNG

Stock Part: 108

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

S1DFS MXG

Stock Part: 87

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF503G C0G

Stock Part: 136

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 980mV @ 2.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1006GHC0G

Stock Part: 75

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF505GHC0G

Stock Part: 126

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 2.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1007G C0G

Stock Part: 119

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 500V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1635 C0G

Stock Part: 72

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 630mV @ 16A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF1601G C0G

Stock Part: 120

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 16A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF745HC0G

Stock Part: 112

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 7.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR16100HC0G

Stock Part: 114

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 16A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

UG5J C0G

Stock Part: 83

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 3V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 20ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1660HC0G

Stock Part: 71

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 16A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1004GHC0G

Stock Part: 147

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF735HC0G

Stock Part: 69

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 7.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1006G C0G

Stock Part: 120

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF501G C0G

Stock Part: 74

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS804G MNG

Stock Part: 78

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió