Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors: bipolars (BJT): individuals

  • Casa
  •  
  • Transistors: bipolars (BJT): individuals
SBC817-25LT1G
ON Semiconductor

SBC817-25LT1G

Stock Part: 187440

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Cessió
MJE703G
ON Semiconductor

MJE703G

Stock Part: 111033

Tipus de transistor: PNP - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Cessió
TIP115G
ON Semiconductor

TIP115G

Stock Part: 151801

Tipus de transistor: PNP - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 2mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

Cessió
TIP110TU
ON Semiconductor

TIP110TU

Stock Part: 90486

Tipus de transistor: NPN - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 2mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

Cessió
MMBT2222ALT3G
ON Semiconductor

MMBT2222ALT3G

Stock Part: 136081

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Cessió
FSB649
ON Semiconductor

FSB649

Stock Part: 146462

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 25V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,

Cessió
TIP147T
ON Semiconductor

TIP147T

Stock Part: 67883

Tipus de transistor: PNP - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 10A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 2mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Cessió
MJE5731AG
ON Semiconductor

MJE5731AG

Stock Part: 64820

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 375V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Cessió
TIP29
ON Semiconductor

TIP29

Stock Part: 129215

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 300µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

Cessió
MJD210G
ON Semiconductor

MJD210G

Stock Part: 128479

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 25V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V,

Cessió
NJVMJB44H11T4G
ON Semiconductor

NJVMJB44H11T4G

Stock Part: 79019

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 10A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Cessió
TIP42BG
ON Semiconductor

TIP42BG

Stock Part: 116245

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 6A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 700µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Cessió
MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor

MMBT2222ALT1G

Stock Part: 104479

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Cessió
FJPF3305H1TU
ON Semiconductor

FJPF3305H1TU

Stock Part: 87209

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 400V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 19 @ 1A, 5V,

Cessió
MJE200G
ON Semiconductor

MJE200G

Stock Part: 135634

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V,

Cessió
PCP1203-TD-H
ON Semiconductor

PCP1203-TD-H

Stock Part: 103709

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1.5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 225mV @ 15mA, 750mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Cessió
D44H8G
ON Semiconductor

D44H8G

Stock Part: 81380

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 10A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Cessió
KSA733CGBU
ON Semiconductor

KSA733CGBU

Stock Part: 117002

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V,

Cessió
FSB560A
ON Semiconductor

FSB560A

Stock Part: 159471

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

Cessió
NJVMJD45H11G
ON Semiconductor

NJVMJD45H11G

Stock Part: 176198

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 8A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Cessió
MJB5742T4G
ON Semiconductor

MJB5742T4G

Stock Part: 43566

Tipus de transistor: NPN - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 8A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 400V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 4A, 5V,

Cessió
MJD42CG
ON Semiconductor

MJD42CG

Stock Part: 120113

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 6A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Cessió
NJW0302G
ON Semiconductor

NJW0302G

Stock Part: 33841

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 15A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 250V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

Cessió
SFT1202-TL-E
ON Semiconductor

SFT1202-TL-E

Stock Part: 176025

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V,

Cessió
MJE5850G
ON Semiconductor

MJE5850G

Stock Part: 25633

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 8A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 300V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V,

Cessió
TIP32ATU
ON Semiconductor

TIP32ATU

Stock Part: 118130

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 200µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Cessió
TIP33CG
ON Semiconductor

TIP33CG

Stock Part: 43349

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 10A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 4V @ 2.5A, 10A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 700µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V,

Cessió
NSV40200UW6T1G
ON Semiconductor

NSV40200UW6T1G

Stock Part: 183018

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V,

Cessió
MMBT3904T
ON Semiconductor

MMBT3904T

Stock Part: 141505

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió
MJD253-1G
ON Semiconductor

MJD253-1G

Stock Part: 157963

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

Cessió
FJA4210OTU
ON Semiconductor

FJA4210OTU

Stock Part: 51872

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 10A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 140V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V,

Cessió
MJF15031G
ON Semiconductor

MJF15031G

Stock Part: 42178

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 8A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V,

Cessió
KSD363YTU
ON Semiconductor

KSD363YTU

Stock Part: 191247

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 6A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1mA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V,

Cessió
KSE45H11
ON Semiconductor

KSE45H11

Stock Part: 89397

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 10A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V,

Cessió
SBC847BWT1G
ON Semiconductor

SBC847BWT1G

Stock Part: 106587

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió
NJVMJD44H11G
ON Semiconductor

NJVMJD44H11G

Stock Part: 174754

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 8A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Cessió