Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors: bipolars (BJT): individuals

  • Casa
  •  
  • Transistors: bipolars (BJT): individuals
BD682TG
ON Semiconductor

BD682TG

Stock Part: 6395

Tipus de transistor: PNP - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 500µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

Cessió
BD676A
ON Semiconductor

BD676A

Stock Part: 6396

Tipus de transistor: PNP - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 500µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Cessió
BD676
ON Semiconductor

BD676

Stock Part: 5664

Tipus de transistor: PNP - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 500µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

Cessió
BD675A
ON Semiconductor

BD675A

Stock Part: 6326

Tipus de transistor: NPN - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 500µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Cessió
BD675
ON Semiconductor

BD675

Stock Part: 6658

Tipus de transistor: NPN - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 500µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

Cessió
BD441
ON Semiconductor

BD441

Stock Part: 6309

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

Cessió
BD442
ON Semiconductor

BD442

Stock Part: 6394

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

Cessió
BD440G
ON Semiconductor

BD440G

Stock Part: 6326

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

Cessió
BD440
ON Semiconductor

BD440

Stock Part: 5666

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

Cessió
BD439
ON Semiconductor

BD439

Stock Part: 6319

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

Cessió
BD243CG
ON Semiconductor

BD243CG

Stock Part: 72552

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 6A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 700µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Cessió
BD438G
ON Semiconductor

BD438G

Stock Part: 6370

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 700mV @ 300mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Cessió
BD437T
ON Semiconductor

BD437T

Stock Part: 6319

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Cessió
BD435
ON Semiconductor

BD435

Stock Part: 6306

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 32V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Cessió
BD234
ON Semiconductor

BD234

Stock Part: 6314

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V,

Cessió
BD179
ON Semiconductor

BD179

Stock Part: 6360

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Cessió
BD159
ON Semiconductor

BD159

Stock Part: 6345

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 350V, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Cessió
BD138
ON Semiconductor

BD138

Stock Part: 6296

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1.5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Cessió
BCX71JLT1
ON Semiconductor

BCX71JLT1

Stock Part: 6359

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 20nA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V,

Cessió
BCX17LT3G
ON Semiconductor

BCX17LT3G

Stock Part: 6663

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Cessió
BCX18LT1G
ON Semiconductor

BCX18LT1G

Stock Part: 6715

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 25V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Cessió
BCW70LT1
ON Semiconductor

BCW70LT1

Stock Part: 6376

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V,

Cessió
BCW72LT1
ON Semiconductor

BCW72LT1

Stock Part: 6378

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió
BCW66GLT1
ON Semiconductor

BCW66GLT1

Stock Part: 6339

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 20nA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Cessió
BCW65CLT1
ON Semiconductor

BCW65CLT1

Stock Part: 6387

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 32V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 20nA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Cessió
BCW65ALT1
ON Semiconductor

BCW65ALT1

Stock Part: 6329

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 32V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 20nA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Cessió
BC859CLT1G
ON Semiconductor

BC859CLT1G

Stock Part: 6358

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
BCW33LT1
ON Semiconductor

BCW33LT1

Stock Part: 6323

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 32V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC859BLT3G
ON Semiconductor

BC859BLT3G

Stock Part: 6340

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC859CLT1
ON Semiconductor

BC859CLT1

Stock Part: 6344

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC859BLT1G
ON Semiconductor

BC859BLT1G

Stock Part: 6358

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC858BWT1
ON Semiconductor

BC858BWT1

Stock Part: 6367

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC858AWT1
ON Semiconductor

BC858AWT1

Stock Part: 6298

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC858ALT1
ON Semiconductor

BC858ALT1

Stock Part: 6348

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC857BWT1
ON Semiconductor

BC857BWT1

Stock Part: 6290

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Cessió
BC857CWT1
ON Semiconductor

BC857CWT1

Stock Part: 6314

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió