Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors: bipolars (BJT): individuals

  • Casa
  •  
  • Transistors: bipolars (BJT): individuals
2N4401RLRM
ON Semiconductor

2N4401RLRM

Stock Part: 6307

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

Cessió
2N3906ZL1G
ON Semiconductor

2N3906ZL1G

Stock Part: 6235

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió
2N3906G
ON Semiconductor

2N3906G

Stock Part: 6250

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió
2N3906RLRPG
ON Semiconductor

2N3906RLRPG

Stock Part: 6240

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió
2N3904RLRMG
ON Semiconductor

2N3904RLRMG

Stock Part: 6328

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió
2SC5964-S-TD-E
ON Semiconductor

2SC5964-S-TD-E

Stock Part: 126344

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Cessió
2SA1774T1G
ON Semiconductor

2SA1774T1G

Stock Part: 116642

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 500pA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Cessió
2SB1124T-TD-E
ON Semiconductor

2SB1124T-TD-E

Stock Part: 194446

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Cessió
2SA1416S-TD-E
ON Semiconductor

2SA1416S-TD-E

Stock Part: 101982

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Cessió
2SB1123S-TD-E
ON Semiconductor

2SB1123S-TD-E

Stock Part: 110341

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

Cessió
2N3904RLRPG
ON Semiconductor

2N3904RLRPG

Stock Part: 6279

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió
2SA2153-TD-E
ON Semiconductor

2SA2153-TD-E

Stock Part: 120832

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Cessió
2SB815-6-TB-E
ON Semiconductor

2SB815-6-TB-E

Stock Part: 108609

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 700mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 15V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V,

Cessió
2SC3647T-TD-E
ON Semiconductor

2SC3647T-TD-E

Stock Part: 109527

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Cessió
2N3904G
ON Semiconductor

2N3904G

Stock Part: 6699

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió
2N3904RL1
ON Semiconductor

2N3904RL1

Stock Part: 6220

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió
2N3903RLRM
ON Semiconductor

2N3903RLRM

Stock Part: 6177

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

Cessió
2N3055HG
ON Semiconductor

2N3055HG

Stock Part: 6130

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 15A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 700µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

Cessió
2N3055H
ON Semiconductor

2N3055H

Stock Part: 6699

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 15A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 700µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

Cessió
2SC4027T-E
ON Semiconductor

2SC4027T-E

Stock Part: 198152

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1.5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 160V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V,

Cessió
2N6034G
ON Semiconductor

2N6034G

Stock Part: 100402

Tipus de transistor: PNP - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Cessió
2N7053
ON Semiconductor

2N7053

Stock Part: 5830

Tipus de transistor: NPN - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1.5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 200nA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V,

Cessió
2N5962_D74Z
ON Semiconductor

2N5962_D74Z

Stock Part: 5829

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 2nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V,

Cessió
2N5550_J24Z
ON Semiconductor

2N5550_J24Z

Stock Part: 5822

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 140V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Cessió
2N5401_S00Z
ON Semiconductor

2N5401_S00Z

Stock Part: 5813

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Cessió
2N5401_J61Z
ON Semiconductor

2N5401_J61Z

Stock Part: 5816

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 150V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Cessió
2N5400_S00Z
ON Semiconductor

2N5400_S00Z

Stock Part: 6652

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

Cessió
2N5400_D81Z
ON Semiconductor

2N5400_D81Z

Stock Part: 6622

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

Cessió
2N5400_D26Z
ON Semiconductor

2N5400_D26Z

Stock Part: 5768

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

Cessió
2N5210_S00Z
ON Semiconductor

2N5210_S00Z

Stock Part: 5865

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V,

Cessió
2N5210_D81Z
ON Semiconductor

2N5210_D81Z

Stock Part: 5804

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V,

Cessió
2N6426_D74Z
ON Semiconductor

2N6426_D74Z

Stock Part: 5776

Tipus de transistor: NPN - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1.2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20000 @ 500mA, 5V,

Cessió
2N7051_D10Z
ON Semiconductor

2N7051_D10Z

Stock Part: 5846

Tipus de transistor: NPN - Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1.5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 100V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 200nA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V,

Cessió
2N6076_D75Z
ON Semiconductor

2N6076_D75Z

Stock Part: 5835

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 25V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió
2N6076_D27Z
ON Semiconductor

2N6076_D27Z

Stock Part: 5837

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 25V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió
2N6076_D26Z
ON Semiconductor

2N6076_D26Z

Stock Part: 6667

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 25V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Cessió