Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
RHRD660S9A
ON Semiconductor

RHRD660S9A

Stock Part: 146761

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.1V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
MMSD485B
ON Semiconductor

MMSD485B

Stock Part: 130510

Tipus de díode: Standard, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSR10F20NXT5G
ON Semiconductor

NSR10F20NXT5G

Stock Part: 120635

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SURS8160T3G
ON Semiconductor

SURS8160T3G

Stock Part: 197091

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
MBR440MFST3G
ON Semiconductor

MBR440MFST3G

Stock Part: 113322

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
RS1K
ON Semiconductor

RS1K

Stock Part: 166441

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió
NRVTSAF360T3G
ON Semiconductor

NRVTSAF360T3G

Stock Part: 195727

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 780mV @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSR0170HT1G
ON Semiconductor

NSR0170HT1G

Stock Part: 162206

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 70V, Actual: mitjana rectificada (Io): 70mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 730mV @ 15mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
US2JA
ON Semiconductor

US2JA

Stock Part: 193381

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
NSD16F3T5G
ON Semiconductor

NSD16F3T5G

Stock Part: 111423

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 75V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 6ns,

Cessió
MURA140T3G
ON Semiconductor

MURA140T3G

Stock Part: 108602

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 65ns,

Cessió
NSR0620SP2T5G
ON Semiconductor

NSR0620SP2T5G

Stock Part: 177850

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 520mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS19
ON Semiconductor

SS19

Stock Part: 151227

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRAF1540T3G
ON Semiconductor

MBRAF1540T3G

Stock Part: 107564

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 460mV @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
GF1K
ON Semiconductor

GF1K

Stock Part: 106292

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió
SB007-03C-TB-E
ON Semiconductor

SB007-03C-TB-E

Stock Part: 101112

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 70mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 70mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 10ns,

Cessió
MBR360RLG
ON Semiconductor

MBR360RLG

Stock Part: 112186

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 740mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR140RLG
ON Semiconductor

MUR140RLG

Stock Part: 142486

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
NRVBAF260T3G
ON Semiconductor

NRVBAF260T3G

Stock Part: 175789

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 630mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
FFPF10UA60ST
ON Semiconductor

FFPF10UA60ST

Stock Part: 77117

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 120ns,

Cessió
FSV15120V
ON Semiconductor

FSV15120V

Stock Part: 190129

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 790mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NRVBS3200T3G
ON Semiconductor

NRVBS3200T3G

Stock Part: 188752

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR160G
ON Semiconductor

MUR160G

Stock Part: 174363

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
NSR01F30NXT5G
ON Semiconductor

NSR01F30NXT5G

Stock Part: 199807

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
RHRP8120
ON Semiconductor

RHRP8120

Stock Part: 75577

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 3.2V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 70ns,

Cessió
SURS8320T3G
ON Semiconductor

SURS8320T3G

Stock Part: 125195

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 875mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
MBR40250TG
ON Semiconductor

MBR40250TG

Stock Part: 41222

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 250V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 970mV @ 40A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
NSVR0340HT1G
ON Semiconductor

NSVR0340HT1G

Stock Part: 199738

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 590mV @ 200mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió
NSR0240MXWT5G
ON Semiconductor

NSR0240MXWT5G

Stock Part: 21632

Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 200mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
GF1A
ON Semiconductor

GF1A

Stock Part: 166993

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió
NSR0240V2T5G
ON Semiconductor

NSR0240V2T5G

Stock Part: 118441

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 200mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3ns,

Cessió
NSVBAT54M3T5G
ON Semiconductor

NSVBAT54M3T5G

Stock Part: 156147

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió
US2KA
ON Semiconductor

US2KA

Stock Part: 135902

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
NTS245SFT1G
ON Semiconductor

NTS245SFT1G

Stock Part: 194684

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 630mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR410RLG
ON Semiconductor

MUR410RLG

Stock Part: 124254

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 890mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
MBR150RLG
ON Semiconductor

MBR150RLG

Stock Part: 185782

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió