Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
BAX16TR
ON Semiconductor

BAX16TR

Stock Part: 150810

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 1mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 120ns,

Cessió
BAS19LT3G
ON Semiconductor

BAS19LT3G

Stock Part: 192662

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
BAS21HT3G
ON Semiconductor

BAS21HT3G

Stock Part: 109495

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 250V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
BAV19TR
ON Semiconductor

BAV19TR

Stock Part: 121898

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
BAS40LT1G
ON Semiconductor

BAS40LT1G

Stock Part: 133045

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 120mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 40mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
BAS16WT1G
ON Semiconductor

BAS16WT1G

Stock Part: 180061

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 6ns,

Cessió
BAS16TT1G
ON Semiconductor

BAS16TT1G

Stock Part: 129916

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 6ns,

Cessió
BAT42XV2
ON Semiconductor

BAT42XV2

Stock Part: 182129

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió
BAS16P2T5G
ON Semiconductor

BAS16P2T5G

Stock Part: 150469

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 6ns,

Cessió
BAS116TT1G
ON Semiconductor

BAS116TT1G

Stock Part: 142730

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 75V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió
BAS20LT3G
ON Semiconductor

BAS20LT3G

Stock Part: 188096

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
BAS20HT1G
ON Semiconductor

BAS20HT1G

Stock Part: 157615

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
BAT54XV2T5G
ON Semiconductor

BAT54XV2T5G

Stock Part: 132048

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió
BAS21LT3G
ON Semiconductor

BAS21LT3G

Stock Part: 134422

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 250V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
BAS116LT1G
ON Semiconductor

BAS116LT1G

Stock Part: 139783

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 75V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió
BAS16LT3G
ON Semiconductor

BAS16LT3G

Stock Part: 111908

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 6ns,

Cessió
BAT43XV2
ON Semiconductor

BAT43XV2

Stock Part: 147496

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió
BAT54T1G
ON Semiconductor

BAT54T1G

Stock Part: 171359

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió
BAS40SL
ON Semiconductor

BAS40SL

Stock Part: 115454

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 40mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 8ns,

Cessió
BAS21HT1G
ON Semiconductor

BAS21HT1G

Stock Part: 124453

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 250V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
BAS16
ON Semiconductor

BAS16

Stock Part: 116307

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 85V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 6ns,

Cessió
BAS16XV2T1G
ON Semiconductor

BAS16XV2T1G

Stock Part: 103183

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 75V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 6ns,

Cessió
BAS21LT1G
ON Semiconductor

BAS21LT1G

Stock Part: 171870

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 250V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
BAT54LT1G
ON Semiconductor

BAT54LT1G

Stock Part: 129588

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió
BAT54XV2T1G
ON Semiconductor

BAT54XV2T1G

Stock Part: 189003

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió
BAS16HT1G
ON Semiconductor

BAS16HT1G

Stock Part: 130768

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 6ns,

Cessió
BAT54HT1G
ON Semiconductor

BAT54HT1G

Stock Part: 191543

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió
BAS16LT1G
ON Semiconductor

BAS16LT1G

Stock Part: 135835

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 6ns,

Cessió
BAT54T
ON Semiconductor

BAT54T

Stock Part: 135677

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió
NSR0530HT1G
ON Semiconductor

NSR0530HT1G

Stock Part: 154488

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 620mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTS245SFT3G
ON Semiconductor

NTS245SFT3G

Stock Part: 165968

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 630mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NSR20F20NXT5G
ON Semiconductor

NSR20F20NXT5G

Stock Part: 114297

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 470mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SMMSD4148T3G
ON Semiconductor

SMMSD4148T3G

Stock Part: 146426

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió
NSR05F30NXT5G
ON Semiconductor

NSR05F30NXT5G

Stock Part: 110584

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 430mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
NTST30100SG
ON Semiconductor

NTST30100SG

Stock Part: 60575

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MR852G
ON Semiconductor

MR852G

Stock Part: 183101

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 300ns,

Cessió