Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors: FET, MOSFET: senzill

  • Casa
  •  
  • Transistors: FET, MOSFET: senzill
NTTFS4824NTWG
ON Semiconductor

NTTFS4824NTWG

Stock Part: 716

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8.3A (Ta), 69A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 11.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
FDS6688AS
ON Semiconductor

FDS6688AS

Stock Part: 613

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 14.5A, 10V,

Cessió
FDD6778A
ON Semiconductor

FDD6778A

Stock Part: 638

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 10A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió
NTB5412NT4G
ON Semiconductor

NTB5412NT4G

Stock Part: 6085

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
MMDF3N02HDR2G
ON Semiconductor

MMDF3N02HDR2G

Stock Part: 838

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V,

Cessió
FDD7030BL
ON Semiconductor

FDD7030BL

Stock Part: 617

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 56A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 14A, 10V,

Cessió
FQD4N50TM_WS
ON Semiconductor

FQD4N50TM_WS

Stock Part: 570

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.3A, 10V,

Cessió
FDI025N06
ON Semiconductor

FDI025N06

Stock Part: 624

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 265A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 75A, 10V,

Cessió
MTB30P06VT4G
ON Semiconductor

MTB30P06VT4G

Stock Part: 600

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió
FDP8870-F085
ON Semiconductor

FDP8870-F085

Stock Part: 581

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 156A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 35A, 10V,

Cessió
NTD70N03RT4G
ON Semiconductor

NTD70N03RT4G

Stock Part: 892

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 32A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
NTB75N06T4G
ON Semiconductor

NTB75N06T4G

Stock Part: 839

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 37.5A, 10V,

Cessió
SCH2825-TL-E
ON Semiconductor

SCH2825-TL-E

Stock Part: 150222

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 800mA, 10V,

Cessió
FDT55AN06LA0
ON Semiconductor

FDT55AN06LA0

Stock Part: 579

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12.1A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 11A, 10V,

Cessió
NILMS4501NR2G
ON Semiconductor

NILMS4501NR2G

Stock Part: 848

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 24V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 6A, 10V,

Cessió
FQD5N60CTM_F080
ON Semiconductor

FQD5N60CTM_F080

Stock Part: 647

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V,

Cessió
IRFR120ATM
ON Semiconductor

IRFR120ATM

Stock Part: 712

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8.4A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.2A, 10V,

Cessió
FD70N20PWD
ON Semiconductor

FD70N20PWD

Stock Part: 612

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 70A (Ta),

Cessió
FQD2N60CTF_F080
ON Semiconductor

FQD2N60CTF_F080

Stock Part: 714

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 950mA, 10V,

Cessió
SSH70N10A
ON Semiconductor

SSH70N10A

Stock Part: 739

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 35A, 10V,

Cessió
SSP45N20B_FP001
ON Semiconductor

SSP45N20B_FP001

Stock Part: 789

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 17.5A, 10V,

Cessió
FQU6N40CTU_NBEA001
ON Semiconductor

FQU6N40CTU_NBEA001

Stock Part: 624

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 400V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.25A, 10V,

Cessió
FDD16AN08A0_NF054
ON Semiconductor

FDD16AN08A0_NF054

Stock Part: 623

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 50A, 10V,

Cessió
NTD4804NAT4G
ON Semiconductor

NTD4804NAT4G

Stock Part: 586

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Ta), 124A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 11.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
FQA6N80_F109
ON Semiconductor

FQA6N80_F109

Stock Part: 664

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 800V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.3A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.95 Ohm @ 3.15A, 10V,

Cessió
FDP15N65
ON Semiconductor

FDP15N65

Stock Part: 6152

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 650V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 7.5A, 10V,

Cessió
NTK3043NAT5G
ON Semiconductor

NTK3043NAT5G

Stock Part: 635

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 210mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.65V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 10mA, 4.5V,

Cessió
MTP20N15EG
ON Semiconductor

MTP20N15EG

Stock Part: 725

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 150V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió
NTD12N10T4G
ON Semiconductor

NTD12N10T4G

Stock Part: 895

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 6A, 10V,

Cessió
NTD5414NT4G
ON Semiconductor

NTD5414NT4G

Stock Part: 670

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 24A, 10V,

Cessió
FQD2P40TF_F080
ON Semiconductor

FQD2P40TF_F080

Stock Part: 681

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 400V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.56A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 780mA, 10V,

Cessió
NTLJS3180PZTAG
ON Semiconductor

NTLJS3180PZTAG

Stock Part: 643

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3A, 4.5V,

Cessió
NTD4810NT4G
ON Semiconductor

NTD4810NT4G

Stock Part: 850

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 54A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 11.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
NTMFS4845NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4845NT3G

Stock Part: 598

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13.7A (Ta), 115A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
NTHS5441PT1G
ON Semiconductor

NTHS5441PT1G

Stock Part: 626

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V,

Cessió
SFH9240
ON Semiconductor

SFH9240

Stock Part: 630

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 5.5A, 10V,

Cessió