Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors: FET, MOSFET: senzill

  • Casa
  •  
  • Transistors: FET, MOSFET: senzill
FDMS86550ET60
ON Semiconductor

FDMS86550ET60

Stock Part: 38559

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 245A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 8V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.65 mOhm @ 32A, 10V,

Cessió
FDB0105N407L
ON Semiconductor

FDB0105N407L

Stock Part: 22782

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 460A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 0.8 mOhm @ 50A, 10V,

Cessió
NTMFS5C430NT1G
ON Semiconductor

NTMFS5C430NT1G

Stock Part: 65621

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), 185A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 50A, 10V,

Cessió
NTMFS4C05NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C05NT1G

Stock Part: 195533

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11.9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
FDB86566-F085
ON Semiconductor

FDB86566-F085

Stock Part: 207

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V,

Cessió
FDMS4D4N08C
ON Semiconductor

FDMS4D4N08C

Stock Part: 198

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 80V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 123A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 44A, 10V,

Cessió
NTMFS4C09NAT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C09NAT1G

Stock Part: 111820

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 52A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
FDMC010N08LC
ON Semiconductor

FDMC010N08LC

Stock Part: 114

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 80V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10.9 mOhm @ 16A, 10V,

Cessió
FDMC013P030Z
ON Semiconductor

FDMC013P030Z

Stock Part: 66508

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 54A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 14A, 10V,

Cessió
FDD9507L-F085
ON Semiconductor

FDD9507L-F085

Stock Part: 138

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 80A, 10V,

Cessió
NTMFS4C027NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4C027NT3G

Stock Part: 181483

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 16.4A (Ta), 52A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 18A, 10V,

Cessió
FCP290N80
ON Semiconductor

FCP290N80

Stock Part: 20723

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 800V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 8.5A, 10V,

Cessió
NVATS5A302PLZT4G
ON Semiconductor

NVATS5A302PLZT4G

Stock Part: 67654

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 80A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 35A, 10V,

Cessió
NTMFS5C430NLT1G
ON Semiconductor

NTMFS5C430NLT1G

Stock Part: 76552

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 50A, 10V,

Cessió
NTMFS5C670NLT1G
ON Semiconductor

NTMFS5C670NLT1G

Stock Part: 138929

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 71A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 35A, 10V,

Cessió
MCH6336-TL-W
ON Semiconductor

MCH6336-TL-W

Stock Part: 115488

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3A, 4.5V,

Cessió
FDMC2514SDC
ON Semiconductor

FDMC2514SDC

Stock Part: 61693

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), 40A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 22.5A, 10V,

Cessió
NDFPD1N150CG
ON Semiconductor

NDFPD1N150CG

Stock Part: 42184

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 150 Ohm @ 50mA, 10V,

Cessió
NTMFS4899NFT1G
ON Semiconductor

NTMFS4899NFT1G

Stock Part: 126804

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10.4A (Ta), 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
NTMFS4982NFT1G
ON Semiconductor

NTMFS4982NFT1G

Stock Part: 85090

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 26.5A (Ta), 207A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
NTMFS4C10NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C10NT1G

Stock Part: 163012

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.95 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
FDMC2D8N025S
ON Semiconductor

FDMC2D8N025S

Stock Part: 115083

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 124A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 28A, 10V,

Cessió
NTMFS4C08NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4C08NT3G

Stock Part: 187076

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 52A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 18A, 10V,

Cessió
FDMS0312S
ON Semiconductor

FDMS0312S

Stock Part: 188964

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 42A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 18A, 10V,

Cessió
NTMFS5C628NLT3G
ON Semiconductor

NTMFS5C628NLT3G

Stock Part: 99884

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 50A, 10V,

Cessió
FDS3590
ON Semiconductor

FDS3590

Stock Part: 125852

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 80V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 6.5A, 10V,

Cessió
NTMFS4C302NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C302NT1G

Stock Part: 236

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 41A (Ta), 230A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.15 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
NTMFS4C024NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C024NT1G

Stock Part: 161837

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 21.7A (Ta), 78A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
FDBL0630N150
ON Semiconductor

FDBL0630N150

Stock Part: 24111

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 150V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 169A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 80A, 10V,

Cessió
FQPF20N06
ON Semiconductor

FQPF20N06

Stock Part: 42857

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 7.5A, 10V,

Cessió
NTMFS5C442NLT1G
ON Semiconductor

NTMFS5C442NLT1G

Stock Part: 125065

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), 130A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 50A, 10V,

Cessió
NVMS5P02R2G
ON Semiconductor

NVMS5P02R2G

Stock Part: 188044

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.95A (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

Cessió
NTMFS4C06NBT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C06NBT1G

Stock Part: 141584

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 69A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
FDB9409-F085
ON Semiconductor

FDB9409-F085

Stock Part: 184

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 80A, 10V,

Cessió
NTMFS10N3D2C
ON Semiconductor

NTMFS10N3D2C

Stock Part: 197

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 151A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 67A, 10V,

Cessió
FDMS8350LET40
ON Semiconductor

FDMS8350LET40

Stock Part: 40458

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 49A (Ta), 300A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 0.85 mOhm @ 47A, 10V,

Cessió