Transistors: bipolars (BJT): senzills, pre-esbiaix | Productes de semiconductors discrets | 5

PDTC124TK,115

Stock Part: 1921

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTA124EE,115

Stock Part: 1920

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTC124EK,115

Stock Part: 2035

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTC124TS,126

Stock Part: 1989

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTA144TE,115

Stock Part: 3251

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTB123TS,126

Stock Part: 3227

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTC143EK,115

Stock Part: 1932

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTA143EK,115

Stock Part: 2057

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTA144VK,115

Stock Part: 1942

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTD123TS,126

Stock Part: 1954

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTA143XK,115

Stock Part: 1913

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTC143EEF,115

Stock Part: 1982

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTC123ES,126

Stock Part: 1997

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTB113ES,126

Stock Part: 1965

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 1 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 1 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTC124ES,126

Stock Part: 1970

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTA114TE,115

Stock Part: 1980

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTA143XE,115

Stock Part: 1941

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PBRP123ES,126

Stock Part: 1949

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 2.2 kOhms,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTA123YS,126

Stock Part: 2027

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTA144EK,115

Stock Part: 1993

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTC123JE,115

Stock Part: 1946

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTB123YK,115

Stock Part: 1943

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTB123EK,115

Stock Part: 1946

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTC114TK,115

Stock Part: 2044

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTA143XS,126

Stock Part: 1934

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTA323TK,115

Stock Part: 1932

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 15V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PBRN123YK,115

Stock Part: 1929

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTA123JE,115

Stock Part: 3222

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTA143TK,115

Stock Part: 1989

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTC114YK,115

Stock Part: 1920

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTD123YS,126

Stock Part: 2006

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTD123TK,115

Stock Part: 1928

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTD123YK,115

Stock Part: 1992

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTC123YS,126

Stock Part: 1995

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTA144WS,126

Stock Part: 1954

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Cessió

NXP USA Inc.

PDTC124XE,115

Stock Part: 2012

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Cessió