Transistors: bipolars (BJT): matrius, pre-esbiaixa | Productes de semiconductors discrets | 1

PBLS1504V,115

Stock Part: 1472

Tipus de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, 15V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Cessió

NXP USA Inc.

PBLS4001V,115

Stock Part: 1384

Tipus de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, 40V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Cessió

NXP USA Inc.

PBLS4002V,115

Stock Part: 1498

Tipus de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, 40V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Cessió

NXP USA Inc.

PBLS2003S,115

Stock Part: 1383

Tipus de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, 20V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V,

Cessió

NXP USA Inc.

PBLS4005V,115

Stock Part: 1428

Tipus de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, 40V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Cessió

NXP USA Inc.

PBLS4003V,115

Stock Part: 1458

Tipus de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, 40V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V,

Cessió

NXP USA Inc.

PBLS2002S,115

Stock Part: 1539

Tipus de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, 20V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V,

Cessió

NXP USA Inc.

PBLS2001S,115

Stock Part: 1488

Tipus de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, 20V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V,

Cessió

NXP USA Inc.

PUML1,115

Stock Part: 1500

Tipus de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 210 @ 2mA, 10V,

Cessió

NXP USA Inc.

PBLS4004V,115

Stock Part: 1464

Tipus de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, 40V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Cessió

NXP USA Inc.

PBLS1503V,115

Stock Part: 1388

Tipus de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, 15V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V,

Cessió

NXP USA Inc.

PBLS1502V,115

Stock Part: 1399

Tipus de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, 15V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Cessió