Diodes - Rectificadors - Individuals | Productes de semiconductors discrets | 2

1PS193,115

Stock Part: 1062

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 215mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

NXP USA Inc.

1PS193,135

Stock Part: 5187

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 215mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

NXP USA Inc.

1N914B,113

Stock Part: 348

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

NXP USA Inc.

1N4148,113

Stock Part: 9942

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

NXP USA Inc.

1N4148,143

Stock Part: 9977

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

NXP USA Inc.

1N4148,133

Stock Part: 9978

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 10mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

NXP USA Inc.

1PS59SB20,115

Stock Part: 9887

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

NXP USA Inc.

1N4448,113

Stock Part: 9889

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

NXP USA Inc.

1N4448,143

Stock Part: 9886

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

NXP USA Inc.

1PS59SB10,115

Stock Part: 9579

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió

NXP USA Inc.

BAT54T,115

Stock Part: 1894

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió

NXP USA Inc.

BAS116T,115

Stock Part: 1894

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 75V, Actual: mitjana rectificada (Io): 215mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

NXP USA Inc.

BYC8B-600PQP

Stock Part: 1423

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 3.4V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 18ns,

Cessió

NXP USA Inc.

BY229X-800,127

Stock Part: 1511

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.85V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 135ns,

Cessió

NXP USA Inc.

BYD17G,115

Stock Part: 1052

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.05V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

NXP USA Inc.

BAW62,133

Stock Part: 1029

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 75V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

NXP USA Inc.

BY229-600,127

Stock Part: 496

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 500V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.85V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 135ns,

Cessió

NXP USA Inc.

BAT254,115

Stock Part: 478

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió

NXP USA Inc.

BYD17K,135

Stock Part: 390

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.05V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

NXP USA Inc.

BYD77D,115

Stock Part: 303

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 850mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 980mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió

NXP USA Inc.

BYD37M,115

Stock Part: 388

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 600mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 300ns,

Cessió

NXP USA Inc.

BYD77B,115

Stock Part: 365

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 850mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 980mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió

NXP USA Inc.

BYD17J,115

Stock Part: 375

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.05V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

NXP USA Inc.

BYD17D,115

Stock Part: 296

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.05V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

NXP USA Inc.

BY329X-1200,127

Stock Part: 9889

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.85V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 145ns,

Cessió

NXP USA Inc.

BY329-1500S,127

Stock Part: 9919

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1500V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 6.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 160ns,

Cessió

NXP USA Inc.

BAS216,115

Stock Part: 9921

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 75V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

NXP USA Inc.

BY359-1500,127

Stock Part: 9954

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1500V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 20A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 600ns,

Cessió

NXP USA Inc.

BAS216,135

Stock Part: 9878

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 75V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

NXP USA Inc.

BAS16T,115

Stock Part: 9970

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 155mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

NXP USA Inc.

BAW62,113

Stock Part: 9968

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 75V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

NXP USA Inc.

BAW62,143

Stock Part: 9956

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 75V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

NXP USA Inc.

BAS316/ZLX

Stock Part: 9620

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 215mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

Cessió

NXP USA Inc.

BAS40/ZLVL

Stock Part: 9547

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 120mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 40mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

NXP USA Inc.

BAS321/ZLX

Stock Part: 9538

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 200mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

NXP USA Inc.

BAS321/ZLF

Stock Part: 9610

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 200mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió