Transistors - FETs, MOSFETs - Matrius

FC6546010R

Stock Part: 108644

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 1µA,

ECH8601M-P-TL-H

Stock Part: 2975

FDMB3900N

Stock Part: 2995

FDS6984AS

Stock Part: 199659

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.5A, 8.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC6601R-TR

Stock Part: 198703

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

NVMFD5852NLWFT1G

Stock Part: 76130

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.9 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.4V @ 250µA,

FDPC8013S

Stock Part: 73996

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A, 26A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

FDY2000PZ

Stock Part: 195330

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 350mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTQD6968NR2

Stock Part: 2953

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDC6310P

Stock Part: 117394

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NVMFD5483NLWFT3G

Stock Part: 70979

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.4A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

DMN1029UFDB-7

Stock Part: 192045

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

DMC4028SSD-13

Stock Part: 191384

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.5A, 4.8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

ZXMP6A16DN8TA

Stock Part: 193933

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Ta), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

DMG1016VQ-7

Stock Part: 134633

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 870mA, 640mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

DMP2200UDW-7

Stock Part: 131211

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 900mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 250µA,

ZXMN2A04DN8TA

Stock Part: 61374

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 700mV @ 250µA (Min),

DMN3135LVT-7

Stock Part: 125318

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SI4532ADY-T1-GE3

Stock Part: 135915

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.7A, 3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

SI7236DP-T1-E3

Stock Part: 45599

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 60A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20.7A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI4936BDY-T1-GE3

Stock Part: 125167

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

SIZ902DT-T1-GE3

Stock Part: 110652

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 16A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13.8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SIZ720DT-T1-GE3

Stock Part: 109371

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 16A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 16.8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2V @ 250µA,

SI4200DY-T1-GE3

Stock Part: 161224

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.3A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SQJ560EP-T1_GE3

Stock Part: 9941

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), 18A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI4542DY-T1-GE3

Stock Part: 2980

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

SQJ941EP-T1-GE3

Stock Part: 3133

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SQJ200EP-T1_GE3

Stock Part: 165186

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A, 60A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2V @ 250µA,

SP8M3FU6TB

Stock Part: 134363

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

MP6K13TCR

Stock Part: 2950

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

IRF7555TRPBF

Stock Part: 2960

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7325TRPBF

Stock Part: 2988

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 900mV @ 250µA,

IRL6372PBF

Stock Part: 2978

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8.1A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.1V @ 10µA,

SLA5074

Stock Part: 14538

Tipus FET: 4 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 4V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2V @ 250µA,

SSM6N7002BFU,LF

Stock Part: 154781

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.1V @ 250µA,

GMM3X60-015X2-SMDSAM

Stock Part: 3115

Tipus FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 150V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 38A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4.5V @ 1mA,