Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors: bipolars (BJT): senzills, pre-esbiaix

PDTC123TM,315
Nexperia USA Inc.

PDTC123TM,315

Stock Part: 198239

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

A la llista de desitjos
PDTC124XMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC124XMB,315

Stock Part: 138730

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V,

A la llista de desitjos
PDTB143EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTB143EQAZ

Stock Part: 106198

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

A la llista de desitjos
PDTD113ZQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTD113ZQAZ

Stock Part: 191015

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 1 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

A la llista de desitjos
PDTA143XMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA143XMB,315

Stock Part: 167339

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos
PDTC115TM,315
Nexperia USA Inc.

PDTC115TM,315

Stock Part: 119965

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 100 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A la llista de desitjos
PDTC143TM,315
Nexperia USA Inc.

PDTC143TM,315

Stock Part: 144179

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

A la llista de desitjos
PDTC143EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTC143EQAZ

Stock Part: 183191

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos
PDTC114TMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC114TMB,315

Stock Part: 145942

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

A la llista de desitjos
PDTC115EMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC115EMB,315

Stock Part: 187513

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 20mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 100 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 100 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
PDTA114TMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA114TMB,315

Stock Part: 135751

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

A la llista de desitjos
PDTC114EMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC114EMB,315

Stock Part: 181666

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
PDTC143ZMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC143ZMB,315

Stock Part: 196414

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos
DTA043EMT2L
Rohm Semiconductor

DTA043EMT2L

Stock Part: 127323

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos
DTC114YMFHAT2L
Rohm Semiconductor

DTC114YMFHAT2L

Stock Part: 120

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased + Diode, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
DTB143ECHZGT116
Rohm Semiconductor

DTB143ECHZGT116

Stock Part: 58

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased + Diode, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V,

A la llista de desitjos
DTA143TMFHAT2L
Rohm Semiconductor

DTA143TMFHAT2L

Stock Part: 76

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A la llista de desitjos
DTC023EUBTL
Rohm Semiconductor

DTC023EUBTL

Stock Part: 140118

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V,

A la llista de desitjos
DTC114YCAHZGT116
Rohm Semiconductor

DTC114YCAHZGT116

Stock Part: 124

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased + Diode, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
DTA114TCAT116
Rohm Semiconductor

DTA114TCAT116

Stock Part: 197746

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A la llista de desitjos
DTC115TUAT106
Rohm Semiconductor

DTC115TUAT106

Stock Part: 125980

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 100 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A la llista de desitjos
DTA043ZUBTL
Rohm Semiconductor

DTA043ZUBTL

Stock Part: 103603

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos
DTA143XETL
Rohm Semiconductor

DTA143XETL

Stock Part: 154528

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos
DTA143XMFHAT2L
Rohm Semiconductor

DTA143XMFHAT2L

Stock Part: 81

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos
DTA144EMT2L
Rohm Semiconductor

DTA144EMT2L

Stock Part: 115065

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 30mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
DTB123EKFRAT146
Rohm Semiconductor

DTB123EKFRAT146

Stock Part: 69

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased + Diode, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V,

A la llista de desitjos
DTB123TKT146
Rohm Semiconductor

DTB123TKT146

Stock Part: 124419

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

A la llista de desitjos
DTC114YU3T106
Rohm Semiconductor

DTC114YU3T106

Stock Part: 62

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased + Diode, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
DTA113ZKAT146
Rohm Semiconductor

DTA113ZKAT146

Stock Part: 178102

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 1 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
DTC043ZMT2L
Rohm Semiconductor

DTC043ZMT2L

Stock Part: 122981

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos
DTC114ECAHZGT116
Rohm Semiconductor

DTC114ECAHZGT116

Stock Part: 141

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased + Diode, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos
DTA143TM3T5G
ON Semiconductor

DTA143TM3T5G

Stock Part: 156016

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos
SMMUN2111LT3G
ON Semiconductor

SMMUN2111LT3G

Stock Part: 143334

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos
DTC113EET1G
ON Semiconductor

DTC113EET1G

Stock Part: 188808

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 1 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 1 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos
FJX4007RTF
ON Semiconductor

FJX4007RTF

Stock Part: 2445

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
NSBA114TF3T5G
ON Semiconductor

NSBA114TF3T5G

Stock Part: 105796

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos