Transistors: bipolars (BJT): senzills, pre-esbiaix | Productes de semiconductors discrets | 88

DTC123ECAT116

Stock Part: 156862

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTD123EKT146

Stock Part: 144102

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTC143ZCAHZGT116

Stock Part: 59

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased + Diode, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTA044EMT2L

Stock Part: 177120

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 30mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTD513ZMT2L

Stock Part: 128968

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Resistència - Base (R1): 1 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTA143ZEFRATL

Stock Part: 117

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTA044EUBTL

Stock Part: 149153

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 30mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTC143XKAT146

Stock Part: 125082

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTA123EKAT146

Stock Part: 150087

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTA115TUAT106

Stock Part: 138402

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 100 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTA114YETL

Stock Part: 179626

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTC114EU3T106

Stock Part: 54

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased + Diode, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTC143ZMFHAT2L

Stock Part: 84

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased + Diode, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTC143ZETL

Stock Part: 147732

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTD513ZETL

Stock Part: 111992

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Resistència - Base (R1): 1 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTA014YUBTL

Stock Part: 100860

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 70mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTC124ECAT116

Stock Part: 124285

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTC024XUBTL

Stock Part: 112952

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTA143XMT2L

Stock Part: 143347

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTB114ECHZGT116

Stock Part: 133

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased + Diode, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTC013ZMT2L

Stock Part: 156674

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 1 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTD513ZMGT2L

Stock Part: 143

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Resistència - Base (R1): 1 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTB123YCT116

Stock Part: 160321

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

DTA143EMFHAT2L

Stock Part: 62

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PDTA123EMB,315

Stock Part: 199181

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PDTB113EQAZ

Stock Part: 158208

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 1 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 1 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PDTA143TMB,315

Stock Part: 141527

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PDTA114EMB,315

Stock Part: 100101

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PDTA143ZMB,315

Stock Part: 181351

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PDTC123EM,315

Stock Part: 179496

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PDTA143ZQAZ

Stock Part: 135307

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PDTA143EQAZ

Stock Part: 165890

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PDTA123TM,315

Stock Part: 115518

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

SMUN2214T3G

Stock Part: 151346

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

NSVMMUN2132LT1G

Stock Part: 115381

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

SMMUN2213LT3G

Stock Part: 177179

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos