Diodes - Rectificadors - Matrius | Productes de semiconductors discrets | 100

MBRD660CTG

Stock Part: 81424

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

NRVHP820MFDT3G

Stock Part: 69

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.05V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBRT300200R

Stock Part: 1564

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBR400150CTR

Stock Part: 1548

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 200A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBRT300150R

Stock Part: 1563

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTR

Stock Part: 1533

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBR40080CTR

Stock Part: 1212

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 400A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 200A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBR20060CTR

Stock Part: 1519

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A045

Stock Part: 3870

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 50A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 50A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045R

Stock Part: 1156

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 400A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 200A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A200

Stock Part: 3030

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBR200150CT

Stock Part: 1552

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MURT20020

Stock Part: 1213

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBR600100CT

Stock Part: 972

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 300A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)D

Stock Part: 1324

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1400V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 200A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBR500100CTR

Stock Part: 1192

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 500A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 250A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A120

Stock Part: 3096

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBRT12035

Stock Part: 1844

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 120A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MUR30060CT

Stock Part: 1342

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 300A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBR12030CT

Stock Part: 1491

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 120A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

FST160150

Stock Part: 1636

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 80A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 80A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM120CHM3/I

Stock Part: 100592

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 970mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2060C-M3/4W

Stock Part: 109388

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3060G-E3/4W

Stock Part: 128134

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 730mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2045CBP-M3/4W

Stock Part: 102836

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4060C-M3/4W

Stock Part: 67167

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 620mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW60C-M3/I

Stock Part: 116952

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 680mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060G-M3/4W

Stock Part: 121490

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 730mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT6045C-M3/4W

Stock Part: 47709

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 640mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20M120M-E3/4W

Stock Part: 159782

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.01V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40120C-M3/4W

Stock Part: 58911

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20202G-M3/4W

Stock Part: 40301

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1090CT-E3/4W

Stock Part: 120106

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2006GHC0G

Stock Part: 157

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200CTHC0G

Stock Part: 152

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.23V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D3

Stock Part: 3747

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos