Diodes - Rectificadors - Matrius | Productes de semiconductors discrets | 100

MBRT60040R

Stock Part: 959

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 600A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 300A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MSRTA200160(A)D

Stock Part: 1239

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 200A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBRT50040R

Stock Part: 1084

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 500A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 250A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

FST12080

Stock Part: 1525

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 120A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 120A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBRT50060R

Stock Part: 1065

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 500A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 250A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBRT50035R

Stock Part: 1133

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 500A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 250A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBR200200CTR

Stock Part: 1485

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MURT30040

Stock Part: 1082

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 300A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBRT50035

Stock Part: 1091

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 500A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 250A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MURT10040

Stock Part: 1273

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 50A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MURTA60060R

Stock Part: 985

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 600A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 300A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045

Stock Part: 992

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 400A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 200A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A200

Stock Part: 3422

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

FST12030

Stock Part: 1597

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 120A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 120A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

GeneSiC Semiconductor

FST12040

Stock Part: 1554

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 120A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 120A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1080C-E3/4W

Stock Part: 148724

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1080C-M3/4W

Stock Part: 142397

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40DM120CHM3/I

Stock Part: 72988

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 890mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1060C-M3/4W

Stock Part: 152283

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3045CBP-M3/4W

Stock Part: 65447

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4045C-M3/4W

Stock Part: 56553

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2080C-M3/4W

Stock Part: 115587

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 810mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3060C-M3/4W

Stock Part: 103984

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF40100C-M3/4W

Stock Part: 73453

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 730mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3045C-M3/4W

Stock Part: 76935

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

SMC Diode Solutions

SBR10200CT

Stock Part: 179092

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 980mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

DD710N16KHPSA2

Stock Part: 124

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 710A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.31V @ 2500A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

DD540N22KHPSA2

Stock Part: 104

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 2200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 540A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.48V @ 1700A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

DD171N16KHPSA1

Stock Part: 113

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 171A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.26V @ 500A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

DD260N12KHPSA1

Stock Part: 137

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 260A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.32V @ 800A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D3

Stock Part: 1918

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PMEG6002TV,115

Stock Part: 116897

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

A la llista de desitjos

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10100CTHMNG

Stock Part: 164

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

NRVBB20100CTT4G

Stock Part: 51931

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

SBAT54ALT3G

Stock Part: 190167

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

A la llista de desitjos

Diodes Incorporated

MBRF10150CT-JT

Stock Part: 122752

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 890mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos