Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
RS3A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3A-M3/57T

Stock Part: 113724

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 2.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió
CS2G-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

CS2G-E3/H

Stock Part: 132

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.1µs,

Cessió
S3KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S3KHE3_A/I

Stock Part: 104449

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 2.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió
SL43-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

SL43-M3/9AT

Stock Part: 117465

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 420mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S5AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5AHE3_A/I

Stock Part: 153631

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió
SE50PADHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE50PADHM3/I

Stock Part: 104555

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.16V @ 5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió
SSB43L-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SSB43L-M3/52T

Stock Part: 165774

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS26-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS26-M3/5BT

Stock Part: 133736

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS2P5-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P5-M3/85A

Stock Part: 116554

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VI20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20100SG-E3/4W

Stock Part: 127604

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.07V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS25-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS25-M3/52T

Stock Part: 151804

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SB2G-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2G-M3/52T

Stock Part: 139203

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió
VSSAF3M6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3M6-M3/I

Stock Part: 140

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 620mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
UF1005-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

UF1005-M3/73

Stock Part: 176003

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
SS2P3HM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P3HM3/85A

Stock Part: 164762

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS2P2HM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P2HM3/85A

Stock Part: 138117

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VS-MBRS130L-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRS130L-M3/5BT

Stock Part: 137253

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 420mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR420-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR420-M3/73

Stock Part: 154083

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 890mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SE30PADHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PADHM3/I

Stock Part: 103507

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.16V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.3µs,

Cessió
V3PAL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V3PAL45-M3/I

Stock Part: 159362

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 540mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VFT760-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT760-M3/4W

Stock Part: 184095

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 7.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 7.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SL22HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SL22HE3_A/H

Stock Part: 140172

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 395mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S1PBHM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PBHM3/85A

Stock Part: 150868

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.8µs,

Cessió
VS-2EGH02HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EGH02HM3_A/I

Stock Part: 184289

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió
VS-30BQ040HM3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30BQ040HM3/9AT

Stock Part: 191497

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
UF4006-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

UF4006-M3/73

Stock Part: 139960

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
V20PWM15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PWM15-M3/I

Stock Part: 187949

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.47V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S3K-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S3K-M3/9AT

Stock Part: 187118

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 2.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió
VS-3EJH02HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EJH02HM3/6B

Stock Part: 109678

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 930mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió
VI20150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20150S-E3/4W

Stock Part: 106643

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.43V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS1P4-M3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1P4-M3/84A

Stock Part: 126389

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 530mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
UG4D-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4D-M3/54

Stock Part: 132157

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió
VSSAF3M10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3M10-M3/I

Stock Part: 164

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VI30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VI30100SG-E3/4W

Stock Part: 109814

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VIT1080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT1080S-E3/4W

Stock Part: 65447

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 810mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VSSAF3M10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3M10HM3/H

Stock Part: 116

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió