Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
S1PB-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PB-M3/85A

Stock Part: 102892

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.8µs,

Cessió
VFT1080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1080S-E3/4W

Stock Part: 174822

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 810mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
V4PAN50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V4PAN50-M3/I

Stock Part: 104831

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 430mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VS-2EJH02HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EJH02HM3/6A

Stock Part: 126318

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 930mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió
SS3H10-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3H10-M3/57T

Stock Part: 161702

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VSSB310-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSB310-E3/52T

Stock Part: 155893

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.9A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VS-3EJU06-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EJU06-M3/6B

Stock Part: 68

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
SS1P4-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1P4-M3/85A

Stock Part: 124587

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 530mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
V20PW60HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PW60HM3/I

Stock Part: 186638

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 660mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VSSAF5M6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M6-M3/I

Stock Part: 97

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 660mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS22HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS22HE3_A/I

Stock Part: 108584

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
RS2DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2DHE3_A/I

Stock Part: 136263

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió
SS2H9-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2H9-M3/52T

Stock Part: 142807

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 790mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VS-30BQ100HM3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30BQ100HM3/9AT

Stock Part: 193076

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 790mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
V8PA12HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PA12HM3/I

Stock Part: 71

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 870mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VSSAF5M10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M10HM3/I

Stock Part: 75

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 790mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VSSAF5M10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M10-M3/I

Stock Part: 113

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 790mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
V8PA6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PA6HM3/I

Stock Part: 95

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 630mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VFT3080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3080S-E3/4W

Stock Part: 132937

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR440-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR440-E3/54

Stock Part: 112080

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.28V @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
VS-4ECH06-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4ECH06-M3/9AT

Stock Part: 187019

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.85V @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 22ns,

Cessió
S5G-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5G-E3/9AT

Stock Part: 185690

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió
VI20150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20150S-M3/4W

Stock Part: 116120

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.43V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS2PH5-M3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2PH5-M3/84A

Stock Part: 113053

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VS-3EJH02-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EJH02-M3/6A

Stock Part: 115089

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 930mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 18ns,

Cessió
MSS2P2HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

MSS2P2HM3_A/H

Stock Part: 125

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S5A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5A-E3/9AT

Stock Part: 115288

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió
VSSAF56HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF56HM3_A/H

Stock Part: 66

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 620mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S1AFM-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFM-M3/6B

Stock Part: 128868

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.47µs,

Cessió
VS-MBRS130-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRS130-M3/5BT

Stock Part: 170173

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 420mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF10100-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF10100-E3/4W

Stock Part: 52382

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
VS-3EJU06-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EJU06-M3/6A

Stock Part: 105188

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
V20PW45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PW45-M3/I

Stock Part: 192774

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 610mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
UF4006-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UF4006-M3/54

Stock Part: 181020

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
SE50PABHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE50PABHM3/I

Stock Part: 135253

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.16V @ 5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió
GPP20B-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP20B-E3/54

Stock Part: 102429

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió