Diodes - Rectificadors - Individuals | Productes de semiconductors discrets | 100

VIT2060G-M3/4W

Stock Part: 138736

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1P3-M3/84A

Stock Part: 193765

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PJ-M3/85A

Stock Part: 100120

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.8µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5M-M3/57T

Stock Part: 123217

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30100S-M3/4W

Stock Part: 107855

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 910mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P5-M3/84A

Stock Part: 181295

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 780mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2080S-M3/4W

Stock Part: 152821

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5B-M3/57T

Stock Part: 151529

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

UF5400-E3/73

Stock Part: 117642

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRS360-M3/9AT

Stock Part: 158724

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 740mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

CS2M-E3/H

Stock Part: 140

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.1µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

S3G-M3/57T

Stock Part: 196236

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 2.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20150S-E3/4W

Stock Part: 109177

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.43V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS22-M3/52T

Stock Part: 174384

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS33-M3/57T

Stock Part: 183313

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P6HM3/85A

Stock Part: 176160

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 780mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

CS2G-E3/I

Stock Part: 116001

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.1µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

SB560A-E3/54

Stock Part: 168374

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

MSS2P2-M3/89A

Stock Part: 179575

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V35PWM12HM3/I

Stock Part: 127748

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 35A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.05V @ 35A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V35PWM15-M3/I

Stock Part: 132835

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 35A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 35A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10M-E3/54

Stock Part: 166791

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF10100-M3/4W

Stock Part: 136926

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PGHM3/84A

Stock Part: 133922

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.8µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS24-M3/5BT

Stock Part: 111461

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

S3M-E3/9AT

Stock Part: 165840

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 2.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP20G-E3/54

Stock Part: 159287

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

S2A-M3/5BT

Stock Part: 145700

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 1.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

SSB43LHE3_A/I

Stock Part: 138

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 490mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4A-E3/73

Stock Part: 124753

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PWM60-M3/I

Stock Part: 187987

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM120HM3/I

Stock Part: 112605

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.06V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

S2BHE3_A/H

Stock Part: 111000

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 1.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

UF1007-M3/54

Stock Part: 181161

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3G-M3/57T

Stock Part: 122801

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 2.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

V35PWM12-M3/I

Stock Part: 127734

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 35A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.05V @ 35A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió