Diodes - Rectificadors - Individuals

Casa
Diodes - Rectificadors - Individuals

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16-G3-08

Stock Part: 185466

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 75V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 6ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAL99-E3-08

Stock Part: 175504

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 70V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 6ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAL99-E3-18

Stock Part: 164062

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 70V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 6ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS19-E3-18

Stock Part: 178973

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV200-GS18

Stock Part: 153471

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV201-GS18

Stock Part: 172005

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV200-GS08

Stock Part: 158649

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3891R

Stock Part: 14617

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 300ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HFR120

Stock Part: 9505

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 70A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 220A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-300U30A

Stock Part: 1921

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 942A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-240UR80D

Stock Part: 1530

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 320A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.33V @ 750A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETS08SPBF

Stock Part: 25294

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 95ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ045SPBF

Stock Part: 43609

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 18A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 18A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3209

Stock Part: 12937

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 15A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HFL100S05

Stock Part: 5411

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.95V @ 40A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15TT100

Stock Part: 125688

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

VS-20ETF12FP-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETF12FP-M3

Stock Part: 11184

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.31V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 400ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

EGL41B/1

Stock Part: 198616

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

UH1PD-M3/85A

Stock Part: 190343

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.05V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 40ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETS12S-M3

Stock Part: 33360

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-SD1100C12C

Stock Part: 1247

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1400A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.31V @ 1500A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GP10J-4005HE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10J-4005HE3/54

Stock Part: 161380

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

EGL34G/51

Stock Part: 119255

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR160/54

Stock Part: 161367

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3893

Stock Part: 10697

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 300ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETF04-M3

Stock Part: 10805

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 160ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

RGL34D/1

Stock Part: 134851

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HF100

Stock Part: 7355

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 125A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

SD453N16S30PC

Stock Part: 664

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 450A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.85V @ 1500A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

EGL41D/1

Stock Part: 141735

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

GP10K-4006EHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10K-4006EHE3/54

Stock Part: 117977

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ETH1506S-M3

Stock Part: 46686

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.45V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 29ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HF60

Stock Part: 8993

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 125A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GP10J-4005EHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10J-4005EHE3/54

Stock Part: 133740

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

GL41Y/1

Stock Part: 114302

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-240U120D

Stock Part: 1800

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 320A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.33V @ 750A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

3600

«
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
»