Diodes - Rectificadors - Individuals | Productes de semiconductors discrets | 100

BYD13GGP-E3/54

Stock Part: 5170

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13DGP-E3/54

Stock Part: 985

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY520-14EHE3/54

Stock Part: 994

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY520-16EHE3/54

Stock Part: 993

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY500-200-E3/54

Stock Part: 986

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ33-GS08

Stock Part: 159944

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY398P-E3/54

Stock Part: 960

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-150-TR

Stock Part: 151017

Tipus de díode: Avalanche, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY448GPHE3/54

Stock Part: 963

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 20µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV102-GS08

Stock Part: 195083

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 250mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ334-TR

Stock Part: 132198

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY396P-E3/54

Stock Part: 957

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY397P-E3/54

Stock Part: 997

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY299P-E3/54

Stock Part: 927

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY298P-E3/54

Stock Part: 921

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY297P-E3/54

Stock Part: 995

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY254GP-E3/54

Stock Part: 5102

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY254GPHE3/54

Stock Part: 933

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY253GPHE3/54

Stock Part: 910

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY253GP-E3/54

Stock Part: 5164

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY252GPHE3/54

Stock Part: 916

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY252GP-E3/54

Stock Part: 938

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY251GPHE3/54

Stock Part: 917

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-800HE3/81

Stock Part: 942

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.85V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 145ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY251GP-E3/54

Stock Part: 936

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-800-E3/81

Stock Part: 925

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.85V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 145ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-600HE3/81

Stock Part: 935

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.85V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 145ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-600-E3/81

Stock Part: 971

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.85V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 145ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-400HE3/81

Stock Part: 906

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.85V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 145ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-400-E3/81

Stock Part: 5135

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.85V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 145ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-200HE3/81

Stock Part: 993

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.85V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 145ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228GPHE3/54

Stock Part: 988

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1500V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 2.5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 20µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-200-E3/81

Stock Part: 5138

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.85V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 145ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY227MGP-E3/54

Stock Part: 923

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1250V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY206GPHE3/54

Stock Part: 921

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 400mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY134GP-E3/54

Stock Part: 914

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió