Diodes - Rectificadors - Individuals

Casa
Diodes - Rectificadors - Individuals

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX10GPHE3/54

Stock Part: 1176

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 360mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió

BYM07-200HE3/83

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-200HE3/83

Stock Part: 1199

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13JGP-E3/54

Stock Part: 1159

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13KGP-E3/54

Stock Part: 1195

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY255GPHE3/54

Stock Part: 1146

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY134GPHE3/54

Stock Part: 1225

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26EGPHE3/73

Stock Part: 1202

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.5V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26DGPHE3/73

Stock Part: 5173

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.5V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

BYW27-400GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW27-400GPHE3/54

Stock Part: 5134

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

BYW27-200GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW27-200GPHE3/54

Stock Part: 1007

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26DGPHE3/54

Stock Part: 1035

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.5V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26EGPHE3/54

Stock Part: 5119

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.5V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

BYS459B-1500SE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS459B-1500SE3/81

Stock Part: 995

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1500V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 6.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 220ns,

Cessió

BYS459B-1500E3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS459B-1500E3/81

Stock Part: 956

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1500V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 6.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 350ns,

Cessió

BYS11-90HE3/TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS11-90HE3/TR3

Stock Part: 1024

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

BYS12-90HE3/TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS12-90HE3/TR3

Stock Part: 954

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

BYS10-45HE3/TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3/TR3

Stock Part: 1013

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

BYS10-35HE3/TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35HE3/TR3

Stock Part: 5156

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

BYS10-25HE3/TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-25HE3/TR3

Stock Part: 979

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 25V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

BYM12-400HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-400HE3/97

Stock Part: 5156

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-50HE3/97

Stock Part: 1042

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

BYM12-200HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-200HE3/97

Stock Part: 973

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

BYM12-300HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-300HE3/97

Stock Part: 971

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

BYM12-150HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-150HE3/97

Stock Part: 1001

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

BYM12-100HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-100HE3/97

Stock Part: 5130

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

BYM11-800HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-800HE3/97

Stock Part: 5150

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

BYM11-1000HE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-1000HE3/97

Stock Part: 5194

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-50HE3/83

Stock Part: 947

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

BYM07-400HE3/83

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-400HE3/83

Stock Part: 968

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

BYM07-300HE3/83

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-300HE3/83

Stock Part: 1015

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33MGP-E3/54

Stock Part: 5173

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 300ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33KGP-E3/54

Stock Part: 1008

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 300ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33GGP-E3/54

Stock Part: 963

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33JGP-E3/54

Stock Part: 977

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 250ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD33DGP-E3/54

Stock Part: 945

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13MGP-E3/54

Stock Part: 952

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

Cessió

3600

«
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
»