Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors - Bipolar (BJT) - Matrius

  • Casa
  •  
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Matrius
HN1C01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FE-Y,LF

Stock Part: 155661

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Cessió
HN1B04FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FE-GR,LF

Stock Part: 100168

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-Y,LF

Stock Part: 117289

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Cessió
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FU-Y(TE85L,F

Stock Part: 155823

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Cessió
HN4C51J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4C51J(TE85L,F)

Stock Part: 171

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual) Common Base, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FU-Y(TE85L,F

Stock Part: 167274

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Cessió
HN4C06J-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4C06J-BL(TE85L,F

Stock Part: 141983

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FU-GR(T5L,F)

Stock Part: 156520

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Stock Part: 4654

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Cessió
HN1B04FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FE-Y,LF

Stock Part: 124479

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Cessió
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FU-GR(TE85LF

Stock Part: 4497

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió
HN2C01FEYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FEYTE85LF

Stock Part: 4567

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Cessió
HN1C01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01F-GR(TE85L,F

Stock Part: 178604

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Cessió
TPC6901(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6901(TE85L,F,M)

Stock Part: 149134

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, 700mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 230mV @ 10mA, 300mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

Cessió
HN1A01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-GR,LF

Stock Part: 133632

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió
HN2A01FE-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FE-Y(TE85L,F

Stock Part: 4470

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Cessió
HN3C51F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-GR(TE85L,F

Stock Part: 4484

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió
TPCP8701(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8701(TE85L,F,M

Stock Part: 131

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 80V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V,

Cessió
ULN2004APG,C,N
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004APG,C,N

Stock Part: 4503

Tipus de transistor: 7 NPN Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Cessió
HN1C01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FE-GR,LF

Stock Part: 154422

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió
HN2A01FE-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FE-GR(TE85LF

Stock Part: 4508

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Cessió
HN4A56JU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A56JU(TE85L,F)

Stock Part: 175513

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Cessió