Diodes - Rectificadors - Matrius | Productes de semiconductors discrets | 2

BAV70,LM

Stock Part: 3367

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 215mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99W,LF

Stock Part: 3300

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 150mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99,LM

Stock Part: 3315

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 215mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S02JE(TE85L,F)

Stock Part: 151

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S01FUTE85LF

Stock Part: 111

Configuració del díode: 3 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 10V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02F(TE85L,F)

Stock Part: 99

Configuració del díode: 2 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01F(TE85L,F)

Stock Part: 125

Configuració del díode: 2 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV99,LM

Stock Part: 196401

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 150mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12N65D,S1F

Stock Part: 12490

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 6A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FTE85LF

Stock Part: 146

Configuració del díode: 3 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 80mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS16N65D,S1F

Stock Part: 10959

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 8A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01JE(TE85L,F)

Stock Part: 109

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54C,LM

Stock Part: 106201

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 140mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FTE85LF

Stock Part: 105421

Configuració del díode: 2 Pair CA + CC, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FU,LF

Stock Part: 159197

Configuració del díode: 2 Pair CA + CC, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 80mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV70,LM

Stock Part: 171499

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 215mA, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS24N65D,S1F

Stock Part: 8001

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 12A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS20N65D,S1F

Stock Part: 7444

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01FE(TE85L,F)

Stock Part: 191091

Configuració del díode: 2 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FUTE85LF

Stock Part: 124987

Configuració del díode: 3 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 50mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 50mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D04FUTE85LF

Stock Part: 130979

Configuració del díode: 2 Pair Series Connection, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU(T5L,F,T)

Stock Part: 4548

Configuració del díode: 2 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FU(TE85L,F)

Stock Part: 166431

Configuració del díode: 3 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 80mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D03F(TE85L,F)

Stock Part: 170816

Configuració del díode: 3 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

CVJ10F30,LF

Stock Part: 16260

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU,LF

Stock Part: 191404

Configuració del díode: 2 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAW56,LM

Stock Part: 127689

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 215mA, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03T(TE85L)

Stock Part: 4160

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 50mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 50mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FE(TE85L,F)

Stock Part: 4087

Configuració del díode: 3 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 50mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 50mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

U20DL2C48A(TE24L,Q

Stock Part: 3899

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 980mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54A,LM

Stock Part: 120020

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54S,LM

Stock Part: 167920

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió