Transistors: FET, MOSFET: senzill

Casa
Transistors: FET, MOSFET: senzill

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8120,LQ(CM

Stock Part: 83086

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 22.5A, 10V,

Cessió

TJ60S04M3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TJ60S04M3L(T6L1,NQ

Stock Part: 86603

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TK7P65W,RQ

Stock Part: 118054

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 650V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 3.4A, 10V,

Cessió

TK5P53D(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK5P53D(T6RSS-Q)

Stock Part: 123262

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 525V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15AFU,LF

Stock Part: 175836

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN11006NL,LQ

Stock Part: 101200

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11.4 mOhm @ 8.5A, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH8R903NL,LQ

Stock Part: 115691

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K336R,LF

Stock Part: 142287

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2A, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K116TU,LF

Stock Part: 124084

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Cessió

TPCP8J01(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8J01(TE85L,F,M

Stock Part: 7462

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 32V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 3A, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K403TU,LF

Stock Part: 160075

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 3A, 4V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN6R303NC,LQ

Stock Part: 135173

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

SSM3K16CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K16CT(TPL3)

Stock Part: 100992

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V,

Cessió

TK2P60D(TE16L1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK2P60D(TE16L1,NQ)

Stock Part: 165770

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.3 Ohm @ 1A, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K36FS,LF

Stock Part: 126626

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 200mA, 5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J332R,LF

Stock Part: 169586

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH14006NH,L1Q

Stock Part: 166914

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 7A, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K513NU,LF

Stock Part: 134203

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 4A, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J328R,LF

Stock Part: 158450

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 29.8 mOhm @ 3A, 4.5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J507NU,LF

Stock Part: 126250

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH6R004PL,LQ

Stock Part: 7474

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 87A (Ta), 49A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 24.5A, 10V,

Cessió

SSM3K7002KFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K7002KFU,LF

Stock Part: 186902

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K376R,LF

Stock Part: 7265

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 2A, 4.5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J331R,LF

Stock Part: 7291

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3A, 4.5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K56ACT,L3F

Stock Part: 123517

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K335R,LF

Stock Part: 165419

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 4A, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH6R003NL,LQ

Stock Part: 185914

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 19A, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J414TU,LF

Stock Part: 168558

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 6A, 4.5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K361R,LF

Stock Part: 190687

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 2A, 10V,

Cessió

SSM3K35AMFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K35AMFV,L3F

Stock Part: 131212

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.2V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K329R,LF

Stock Part: 180365

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 126 mOhm @ 1A, 4V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K361NU,LF

Stock Part: 7288

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 2A, 10V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K217FE,LF

Stock Part: 166457

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 8V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 1A, 8V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K36MFV,L3F

Stock Part: 111367

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 200mA, 5V,

Cessió

TPC6113(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6113(TE85L,F,M)

Stock Part: 100371

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Cessió

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K341R,LF

Stock Part: 103520

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5A, 10V,

Cessió

741

«
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
»