Diodes - Rectificadors - Individuals

Casa
Diodes - Rectificadors - Individuals

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1KL MHG

Stock Part: 173

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 800mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 800mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DLHMTG

Stock Part: 199

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 800mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 800mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLHM2G

Stock Part: 187

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.8µs,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

S1BL RHG

Stock Part: 218

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.8µs,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JL MQG

Stock Part: 212

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 800mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 800mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 250ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SS315HR7G

Stock Part: 185

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

RSFJLHMTG

Stock Part: 216

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 250ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

S1BLHRUG

Stock Part: 144

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.8µs,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

RSFKL RHG

Stock Part: 149

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

HS1GL MQG

Stock Part: 176

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SS16LHMQG

Stock Part: 229

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1BL M2G

Stock Part: 154

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 800mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 800mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SSL33HR7G

Stock Part: 188

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 410mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1FLHMTG

Stock Part: 184

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DL M2G

Stock Part: 181

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 800mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 800mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

RSFDLHMQG

Stock Part: 189

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SK515CHR7G

Stock Part: 161

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

RSFBLHMHG

Stock Part: 145

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SS115LHRVG

Stock Part: 197

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1BL MHG

Stock Part: 187

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

HS1AL RTG

Stock Part: 231

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DLHRHG

Stock Part: 218

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 800mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 800mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SS215LHRHG

Stock Part: 222

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1KLHMTG

Stock Part: 143

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 800mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 800mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SS12LHRHG

Stock Part: 160

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JL RFG

Stock Part: 191

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SS26LHMTG

Stock Part: 232

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SS210L RTG

Stock Part: 155

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1BLHMHG

Stock Part: 225

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SS210L MHG

Stock Part: 153

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1AL RFG

Stock Part: 200

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JLHRHG

Stock Part: 147

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 800mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 800mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 250ns,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

S1KL MHG

Stock Part: 151

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.8µs,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SS13LHRUG

Stock Part: 221

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

SS23LHRTG

Stock Part: 186

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1AL RUG

Stock Part: 186

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

3600

«
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
»