Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
SF68GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF68GHR0G

Stock Part: 116

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
TSS43U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS43U RGG

Stock Part: 172

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 15mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió
TSS54U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS54U RGG

Stock Part: 145

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 100mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió
S15JC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15JC M6G

Stock Part: 165

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 15A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
TSN520M60 S4G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSN520M60 S4G

Stock Part: 204

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
TSP15H200S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSP15H200S S1G

Stock Part: 159

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 890mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
ES1LGHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LGHM2G

Stock Part: 181

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
TSN525M60 S4G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSN525M60 S4G

Stock Part: 146

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 630mV @ 25A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
TSS0230U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0230U RGG

Stock Part: 162

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
S15KC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15KC M6G

Stock Part: 221

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 15A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S15GC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15GC M6G

Stock Part: 158

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 15A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
TSS40U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS40U RGG

Stock Part: 193

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 40mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 5ns,

Cessió
S15MC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15MC M6G

Stock Part: 137

Tipus de díode: Standard, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 15A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
TSSW3U45 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSW3U45 RVG

Stock Part: 218

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 470mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
TSSA3U60 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSA3U60 M2G

Stock Part: 146

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 540mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió
ES3JB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3JB M4G

Stock Part: 154

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.45V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
TSSE3U60 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSE3U60 RVG

Stock Part: 168

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
TSSW3U45HRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSW3U45HRVG

Stock Part: 140

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 470mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR315S V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR315S V7G

Stock Part: 116

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió
TSS83L45 MXG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS83L45 MXG

Stock Part: 201

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 560mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
ES1LG M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LG M2G

Stock Part: 170

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
TSN520M60 S3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSN520M60 S3G

Stock Part: 161

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
ES1LJ M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJ M2G

Stock Part: 174

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
TSS0340U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0340U RGG

Stock Part: 173

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 370mV @ 1mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
TSS0230LU RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0230LU RGG

Stock Part: 167

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió
UGF5JHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF5JHC0G

Stock Part: 127

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 3V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió
UGF8JDHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF8JDHC0G

Stock Part: 196

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió
TSP15U120S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSP15U120S S1G

Stock Part: 122

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 120V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
ES1LG R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LG R3G

Stock Part: 185

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
TSSA3U45 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSA3U45 M2G

Stock Part: 164

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 480mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
ES1LJ R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJ R3G

Stock Part: 195

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
ES1LJHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJHM2G

Stock Part: 136

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
UGF12J C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF12J C0G

Stock Part: 166

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2V @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 20ns,

Cessió
RSFALHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFALHMTG

Stock Part: 184

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió
SS210L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS210L MQG

Stock Part: 209

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS22LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS22LHMHG

Stock Part: 154

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió