Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
SF18GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF18GHA0G

Stock Part: 105

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SR1503 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1503 A0G

Stock Part: 135

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SRT15 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRT15 R0G

Stock Part: 173

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SR106HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR106HB0G

Stock Part: 112

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SFT14GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT14GHA1G

Stock Part: 164

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SRA10100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA10100HC0G

Stock Part: 159

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SFA801G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFA801G C0G

Stock Part: 127

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SF31G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF31G A0G

Stock Part: 157

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SR103HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR103HB0G

Stock Part: 116

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SF15G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF15G B0G

Stock Part: 94

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
UF1J B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1J B0G

Stock Part: 103

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
SRA20100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA20100 C0G

Stock Part: 164

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
UF4003 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF4003 B0G

Stock Part: 161

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
SR1203HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1203HB0G

Stock Part: 159

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SF64G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF64G A0G

Stock Part: 84

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SFT13G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT13G A1G

Stock Part: 161

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SF808GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF808GHC0G

Stock Part: 82

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SR1503HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1503HB0G

Stock Part: 166

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SF806GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF806GHC0G

Stock Part: 104

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SF42G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF42G B0G

Stock Part: 156

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SF67G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF67G B0G

Stock Part: 86

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 500V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
GPAS1007 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

GPAS1007 MNG

Stock Part: 153

Tipus de díode: Standard, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 10A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
HER606G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER606G R0G

Stock Part: 115

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
SFT15GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT15GHA1G

Stock Part: 133

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
FR151GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR151GHB0G

Stock Part: 173

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió
SF23G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF23G B0G

Stock Part: 135

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SRA1050 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1050 C0G

Stock Part: 151

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SRA10150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA10150 C0G

Stock Part: 169

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
HER602G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER602G R0G

Stock Part: 97

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
SF41GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF41GHA0G

Stock Part: 172

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SR1204HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1204HB0G

Stock Part: 131

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SF35G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF35G B0G

Stock Part: 117

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SR1020HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1020HC0G

Stock Part: 132

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SR003 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR003 R1G

Stock Part: 112

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SF41G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF41G A0G

Stock Part: 129

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
MBRS1090HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1090HMNG

Stock Part: 103

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió