Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
SFA1003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFA1003G C0G

Stock Part: 140

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SF2001PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF2001PTHC0G

Stock Part: 118

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SRAF10100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF10100HC0G

Stock Part: 88

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR1090HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1090HC0G

Stock Part: 162

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR1650 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1650 C0G

Stock Part: 151

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 16A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SR1202HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1202HA0G

Stock Part: 157

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SF1604PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF1604PTHC0G

Stock Part: 73

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
UGF5J C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF5J C0G

Stock Part: 144

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 3V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió
SR315 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR315 R0G

Stock Part: 97

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
UF1MHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1MHB0G

Stock Part: 84

Tipus de díode: Standard, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
UF4006HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF4006HR0G

Stock Part: 106

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
SF34G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF34G B0G

Stock Part: 84

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
MBR1045 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1045 C0G

Stock Part: 133

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 10A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SR009 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR009 R0G

Stock Part: 127

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 500mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 500mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SF1006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF1006GHC0G

Stock Part: 117

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
HER604G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER604G A0G

Stock Part: 111

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
SR506 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR506 R0G

Stock Part: 122

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SR1203 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1203 R0G

Stock Part: 123

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
UF1A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1A B0G

Stock Part: 113

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
SF1604GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF1604GHC0G

Stock Part: 88

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SRAF590 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF590 C0G

Stock Part: 160

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SFF1002GA C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1002GA C0G

Stock Part: 75

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
UG2JAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG2JAHM2G

Stock Part: 141

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 55ns,

Cessió
UF1JHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1JHR0G

Stock Part: 147

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió
SR310HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR310HA0G

Stock Part: 122

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR440HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR440HB0G

Stock Part: 139

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.28V @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
SR103HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR103HR0G

Stock Part: 140

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SFAF2001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2001G C0G

Stock Part: 130

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
GPA802 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GPA802 C0G

Stock Part: 121

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 8A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SF16G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF16G R0G

Stock Part: 142

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
UG06BHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG06BHA0G

Stock Part: 120

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 600mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 600mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 15ns,

Cessió
SRT14HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRT14HR0G

Stock Part: 124

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SR110HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR110HR0G

Stock Part: 143

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SRAS2030 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS2030 MNG

Stock Part: 76

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SF802G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF802G C0G

Stock Part: 148

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 975mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SR804 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR804 R0G

Stock Part: 111

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió