Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors - IGBT - Individuals

  • Casa
  •  
  • Transistors - IGBT - Individuals
RGTV00TK65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTV00TK65DGC11

Stock Part: 2789

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 45A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 200A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Potència: màx: 94W,

Cessió
RGTV60TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTV60TS65DGC11

Stock Part: 2739

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 60A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 120A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Potència: màx: 194W,

Cessió
RGT50TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGT50TS65DGC11

Stock Part: 20970

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 48A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 75A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Potència: màx: 174W,

Cessió
RGTV00TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTV00TS65DGC11

Stock Part: 2823

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 95A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 200A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Potència: màx: 276W,

Cessió
RGT60TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGT60TS65DGC11

Stock Part: 22178

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 55A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 90A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Potència: màx: 194W,

Cessió
RGW80TS65GC11
Rohm Semiconductor

RGW80TS65GC11

Stock Part: 2956

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 78A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 160A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Potència: màx: 214W,

Cessió
RGT30NS65DGTL
Rohm Semiconductor

RGT30NS65DGTL

Stock Part: 76981

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 30A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 45A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Potència: màx: 133W,

Cessió
RGPR30BM40HRTL
Rohm Semiconductor

RGPR30BM40HRTL

Stock Part: 10769

Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 430V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 30A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Potència: màx: 125W,

Cessió
RGPR10BM40FHTL
Rohm Semiconductor

RGPR10BM40FHTL

Stock Part: 10770

Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 460V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 20A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Potència: màx: 107W,

Cessió
RGT40NS65DGTL
Rohm Semiconductor

RGT40NS65DGTL

Stock Part: 64766

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 40A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 60A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Potència: màx: 161W,

Cessió
RGPZ10BM40FHTL
Rohm Semiconductor

RGPZ10BM40FHTL

Stock Part: 10827

Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 460V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 20A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Potència: màx: 107W,

Cessió