Transistors: bipolars (BJT): matrius, pre-esbiaixa | Productes de semiconductors discrets | 6

UMA2NTR

Stock Part: 192994

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Cessió

Rohm Semiconductor

UMD9NTR

Stock Part: 125586

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Cessió

Rohm Semiconductor

FMC6AT148

Stock Part: 134690

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 100 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Cessió

Rohm Semiconductor

EMB3T2R

Stock Part: 122894

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Cessió

Rohm Semiconductor

IMB9AT110

Stock Part: 151560

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Cessió

Rohm Semiconductor

IMB11AT110

Stock Part: 145889

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Cessió

Rohm Semiconductor

UMH3NTN

Stock Part: 152629

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Cessió