Diodes: rectificadors de ponts | Productes de semiconductors discrets | 5

APT75DL120HJ

Stock Part: 3436

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 1.2kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 75A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.1V @ 75A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 250µA @ 1200V,

Cessió

Microsemi Corporation

APTDF100H20G

Stock Part: 1745

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 145A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 100A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 250µA @ 200V,

Cessió

Microsemi Corporation

APTDF60H601G

Stock Part: 2946

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 92A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 60A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 25µA @ 600V,

Cessió

Microsemi Corporation

APT30DF60HJ

Stock Part: 4765

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.2V @ 30A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 250µA @ 600V,

Cessió

Microsemi Corporation

APT30DF20HJ

Stock Part: 6108

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 45A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 30A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 250µA @ 200V,

Cessió

Microsemi Corporation

APTDF200H100G

Stock Part: 1141

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 1kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 255A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.7V @ 200A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 100µA @ 1000V,

Cessió

Microsemi Corporation

APT75DF170HJ

Stock Part: 2789

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 1.7kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 75A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.2V @ 75A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 250µA @ 1700V,

Cessió

Microsemi Corporation

APTDF100H100G

Stock Part: 1774

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 1kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 130A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.7V @ 100A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 100µA @ 1000V,

Cessió

Microsemi Corporation

APT100DL60HJ

Stock Part: 4271

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2V @ 100A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 250µA @ 600V,

Cessió

Microsemi Corporation

APTDF60H1201G

Stock Part: 2732

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 1.2kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 82A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 3V @ 60A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 100µA @ 1200V,

Cessió

Microsemi Corporation

APT60DF60HJ

Stock Part: 3669

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 90A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 60A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 25µA @ 600V,

Cessió

Microsemi Corporation

APTDF30H601G

Stock Part: 3265

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 42A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.2V @ 30A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 250µA @ 600V,

Cessió

Microsemi Corporation

APTDF200H170G

Stock Part: 851

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 1.7kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 240A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 3V @ 200A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 350µA @ 1700V,

Cessió

Microsemi Corporation

APTDF30H1201G

Stock Part: 3161

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 1.2kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 43A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 3.1V @ 30A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 100µA @ 1200V,

Cessió

Microsemi Corporation

APTDR40X1601G

Stock Part: 2893

Tipus de díode: Three Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 1.6kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 40A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 20µA @ 1600V,

Cessió

Microsemi Corporation

APTDF200H60G

Stock Part: 968

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 270A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2V @ 200A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 350µA @ 600V,

Cessió

Microsemi Corporation

APT40DR160HJ

Stock Part: 3690

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 1.6kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 40A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 20µA @ 1600V,

Cessió

Microsemi Corporation

APTDC40H601G

Stock Part: 840

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 40A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 800µA @ 600V,

Cessió

Microsemi Corporation

APT40DC60HJ

Stock Part: 933

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 40A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 800µA @ 600V,

Cessió

Microsemi Corporation

APTDC20H1201G

Stock Part: 862

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 1.2kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 20A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 400µA @ 1200V,

Cessió

Microsemi Corporation

APTDC20H601G

Stock Part: 8742

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 20A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 400µA @ 600V,

Cessió

Microsemi Corporation

APTDC10H601G

Stock Part: 8792

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 10A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 200µA @ 600V,

Cessió

Microsemi Corporation

APT40DC120HJ

Stock Part: 386

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 1.2kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 40A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 800µA @ 1200V,

Cessió

Microsemi Corporation

APT20DC120HJ

Stock Part: 918

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 1.2kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 20A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 400µA @ 1200V,

Cessió

Microsemi Corporation

APT60DF20HJ

Stock Part: 4759

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 90A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 60A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 250µA @ 200V,

Cessió

Microsemi Corporation

APT06DC60HJ

Stock Part: 8736

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 6A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 200µA @ 600V,

Cessió

Microsemi Corporation

APT60DS20HJ

Stock Part: 8775

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 90A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 60A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 1mA @ 200V,

Cessió

Microsemi Corporation

APT75DL60HJ

Stock Part: 8758

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 75A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2V @ 75A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 250µA @ 600V,

Cessió

Microsemi Corporation

APT60DS04HJ

Stock Part: 8748

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 60A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 30mA @ 45V,

Cessió

Microsemi Corporation

APT60DS10HJ

Stock Part: 8788

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 910mV @ 60A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 2mA @ 100V,

Cessió

Microsemi Corporation

APT60DF100HJ

Stock Part: 8782

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 1kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 90A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.8V @ 60A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 100µA @ 1000V,

Cessió

Microsemi Corporation

APT60DF120HJ

Stock Part: 8700

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 1.2kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 90A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 3V @ 60A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 100µA @ 1200V,

Cessió

Microsemi Corporation

APT40DS10HJ

Stock Part: 8706

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 40A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 1mA @ 100V,

Cessió

Microsemi Corporation

APT50DL120HJ

Stock Part: 8760

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 1.2kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 50A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.1V @ 50A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 250µA @ 1200V,

Cessió

Microsemi Corporation

APT40DS04HJ

Stock Part: 8718

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 40A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 20mA @ 45V,

Cessió

Microsemi Corporation

APT35DL120HJ

Stock Part: 8751

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Standard, Voltatge: pic invers (màxim): 1.2kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 35A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.1V @ 35A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 250µA @ 1200V,

Cessió