Transistors - IGBT - Individuals

Casa
Transistors - IGBT - Individuals

Microsemi Corporation

APT85GR120B2

Stock Part: 4316

Tipus IGBT: NPT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 170A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 340A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A, Potència: màx: 962W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT45GR65B

Stock Part: 10884

Tipus IGBT: NPT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 650V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 92A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 168A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A, Potència: màx: 357W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT25GR120SD15

Stock Part: 6784

Tipus IGBT: NPT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 100A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Potència: màx: 521W,

Cessió

APT30GS60BRDQ2G

Microsemi Corporation

APT30GS60BRDQ2G

Stock Part: 8545

Tipus IGBT: NPT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 54A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 113A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A, Potència: màx: 250W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT35GA90BD15

Stock Part: 8990

Tipus IGBT: PT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 900V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 63A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 105A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A, Potència: màx: 290W,

Cessió

APT25GP120BDQ1G

Microsemi Corporation

APT25GP120BDQ1G

Stock Part: 5387

Tipus IGBT: PT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 69A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 90A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A, Potència: màx: 417W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT40GR120B

Stock Part: 7864

Tipus IGBT: NPT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 88A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 160A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Potència: màx: 500W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT50GF120LRG

Stock Part: 3226

Tipus IGBT: NPT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 135A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 150A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A, Potència: màx: 781W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT36GA60B

Stock Part: 10848

Tipus IGBT: PT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 65A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 109A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Potència: màx: 290W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT25GN120SG

Stock Part: 7823

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 67A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 75A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Potència: màx: 272W,

Cessió

APT45GP120B2DQ2G

Microsemi Corporation

APT45GP120B2DQ2G

Stock Part: 3343

Tipus IGBT: PT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 113A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 170A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A, Potència: màx: 625W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT65GP60B2G

Stock Part: 3477

Tipus IGBT: PT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 250A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A, Potència: màx: 833W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT33GF120BRG

Stock Part: 6611

Tipus IGBT: NPT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 52A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 104A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Potència: màx: 297W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT80GA60LD40

Stock Part: 5111

Tipus IGBT: PT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 143A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 240A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A, Potència: màx: 625W,

Cessió

APT50GN120L2DQ2G

Microsemi Corporation

APT50GN120L2DQ2G

Stock Part: 3928

Tipus IGBT: NPT, Trench Field Stop, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 134A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 150A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Potència: màx: 543W,

Cessió

APT50GT60BRDQ2G

Microsemi Corporation

APT50GT60BRDQ2G

Stock Part: 8198

Tipus IGBT: NPT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 110A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 150A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, Potència: màx: 446W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT25GR120BD15

Stock Part: 8367

Tipus IGBT: NPT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 100A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Potència: màx: 521W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT27GA90BD15

Stock Part: 9145

Tipus IGBT: PT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 900V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 48A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 79A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 14A, Potència: màx: 223W,

Cessió

APT25GT120BRDQ2G

Microsemi Corporation

APT25GT120BRDQ2G

Stock Part: 7393

Tipus IGBT: NPT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 54A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 75A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A, Potència: màx: 347W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT25GT120BRG

Stock Part: 9392

Tipus IGBT: NPT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 54A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 75A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A, Potència: màx: 347W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT50GT120B2RG

Stock Part: 4226

Tipus IGBT: NPT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 94A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 150A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Potència: màx: 625W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT75GN120LG

Stock Part: 4252

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 225A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Potència: màx: 833W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT25GR120B

Stock Part: 10487

Tipus IGBT: NPT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 100A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Potència: màx: 521W,

Cessió

APT30GT60BRDQ2G

Microsemi Corporation

APT30GT60BRDQ2G

Stock Part: 10975

Tipus IGBT: NPT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 64A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 110A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Potència: màx: 250W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT40GT60BRG

Stock Part: 7056

Tipus IGBT: NPT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 160A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Potència: màx: 345W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT60GT60BRG

Stock Part: 6334

Tipus IGBT: NPT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 360A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A, Potència: màx: 500W,

Cessió

APT65GP60L2DQ2G

Microsemi Corporation

APT65GP60L2DQ2G

Stock Part: 3385

Tipus IGBT: PT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 198A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 250A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A, Potència: màx: 833W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT75GP120B2G

Stock Part: 2676

Tipus IGBT: PT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 300A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A, Potència: màx: 1042W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT75GN120B2G

Stock Part: 5110

Tipus IGBT: Trench Field Stop, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 225A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Potència: màx: 833W,

Cessió

APT50GP60B2DQ2G

Microsemi Corporation

APT50GP60B2DQ2G

Stock Part: 4373

Tipus IGBT: PT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 190A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Potència: màx: 625W,

Cessió

APT40GP60B2DQ2G

Microsemi Corporation

APT40GP60B2DQ2G

Stock Part: 4770

Tipus IGBT: PT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 160A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Potència: màx: 543W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT50GP60BG

Stock Part: 5801

Tipus IGBT: PT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 190A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Potència: màx: 625W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT40GP60SG

Stock Part: 6297

Tipus IGBT: PT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 160A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Potència: màx: 543W,

Cessió

APT25GR120SSCD10

Microsemi Corporation

APT25GR120SSCD10

Stock Part: 4355

Tipus IGBT: NPT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 75A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 100A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Potència: màx: 521W,

Cessió

Microsemi Corporation

APT44GA60BD30C

Stock Part: 6845

Tipus IGBT: PT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 600V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 78A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 130A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 26A, Potència: màx: 337W,

Cessió

APT33GF120LRDQ2G

Microsemi Corporation

APT33GF120LRDQ2G

Stock Part: 6891

Tipus IGBT: NPT, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 1200V, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 64A, Corrent: col·lector pulsat (cm): 75A, Vce (activat) (màxim) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A, Potència: màx: 357W,

Cessió

145

«
1
2
3
4
5
»