Diodes - Rectificadors - Individuals | Productes de semiconductors discrets | 62

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 340mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

1N5712

Stock Part: 8650

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 75mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 35mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Cessió

Microsemi Corporation

1N6761

Stock Part: 117

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 690mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

1N5712UR-1

Stock Part: 115

Cessió

Microsemi Corporation

1N6864

Stock Part: 68

Cessió

Microsemi Corporation

1N6858UR-1

Stock Part: 102

Cessió

Microsemi Corporation

1N6642UBCA

Stock Part: 137

Cessió

Microsemi Corporation

1N4148UB2R

Stock Part: 177

Cessió

Microsemi Corporation

1N6642UBCC

Stock Part: 93

Cessió

Microsemi Corporation

1N4148UB2

Stock Part: 122

Cessió

Microsemi Corporation

1N6642UB2R

Stock Part: 118

Cessió

Microsemi Corporation

1N6642UB2

Stock Part: 113

Cessió

Microsemi Corporation

1N6628US

Stock Part: 3334

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 660V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.75A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,