Transistors - Bipolar (BJT) - Matrius

Casa
Transistors - Bipolar (BJT) - Matrius

Microsemi Corporation

JANTX2N2919L

Stock Part: 1721

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 30mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTXV2N2060L

Stock Part: 835

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTXV2N2920L

Stock Part: 1532

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 30mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Cessió

Microsemi Corporation

JAN2N2920L

Stock Part: 1944

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 30mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTX2N4854U

Stock Part: 4433

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTX2N5796U

Stock Part: 4445

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANS2N2920

Stock Part: 617

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 30mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTXV2N6989

Stock Part: 1252

Tipus de transistor: 4 NPN (Quad), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTX2N3811

Stock Part: 4496

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTX2N3811L

Stock Part: 4476

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTXV2N2060

Stock Part: 4482

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTX2N5794U

Stock Part: 4450

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Cessió

Microsemi Corporation

SG2003J

Stock Part: 4422

Tipus de transistor: 7 NPN Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTXV2N3811

Stock Part: 4485

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Cessió

Microsemi Corporation

SG2803J-DESC

Stock Part: 4457

Tipus de transistor: 8 NPN Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTX2N6989

Stock Part: 1403

Tipus de transistor: 4 NPN (Quad), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTX2N5794

Stock Part: 4465

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Cessió

Microsemi Corporation

SG2023J-DESC

Stock Part: 4587

Tipus de transistor: 7 NPN Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 95V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810U

Stock Part: 1474

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Cessió

Microsemi Corporation

SG2823J-883B

Stock Part: 4475

Tipus de transistor: 8 NPN Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 95V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTX2N3811U

Stock Part: 4430

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTX2N6989U

Stock Part: 4522

Tipus de transistor: 4 NPN (Quad), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTX2N4854

Stock Part: 586

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Cessió

Microsemi Corporation

JAN2N6989

Stock Part: 1489

Tipus de transistor: 4 NPN (Quad), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTX2N6990

Stock Part: 4451

Tipus de transistor: 4 NPN (Quad), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Cessió

Microsemi Corporation

SG2823J

Stock Part: 4440

Tipus de transistor: 8 NPN Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 95V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Cessió

Microsemi Corporation

JAN2N2920U

Stock Part: 1510

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 30mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTXV2N6988

Stock Part: 1211

Tipus de transistor: 4 PNP (Quad), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTXV2N2919

Stock Part: 1627

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 30mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Cessió

Microsemi Corporation

JAN2N2919U

Stock Part: 1524

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 30mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTXV2N2919U

Stock Part: 1139

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 30mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTXV2N5794

Stock Part: 231

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Cessió

Microsemi Corporation

JAN2N6990

Stock Part: 1554

Tipus de transistor: 4 NPN (Quad), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTX2N3810L

Stock Part: 2505

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTX2N2920L

Stock Part: 4518

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 30mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Cessió

Microsemi Corporation

JANTXV2N2920U

Stock Part: 4499

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 30mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Cessió

89

«
1
2
3
»