Diodes - Rectificadors - Matrius

Casa
Diodes - Rectificadors - Matrius

Microsemi Corporation

APT2X31DQ60J

Stock Part: 3554

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.2V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT30D100BCTG

Stock Part: 9938

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT100S20LCTG

Stock Part: 5486

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 120A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT2X61S20J

Stock Part: 3006

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 75A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT60D60LCTG

Stock Part: 6600

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT2X30D120J

Stock Part: 2852

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.5V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT2X101DQ60J

Stock Part: 2889

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.2V @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT2X101DQ120J

Stock Part: 2486

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 3V @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT2X61D60J

Stock Part: 3296

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT30DQ60BCTG

Stock Part: 16694

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.4V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT30D100BHBG

Stock Part: 9481

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 18A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.3V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT40DQ60BCTG

Stock Part: 14431

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.4V @ 40A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT2X101D20J

Stock Part: 2724

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT15DQ100BCTG

Stock Part: 17077

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 3V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT2X61DC120J

Stock Part: 553

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 60A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT30D20BCAG

Stock Part: 9782

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT2X101D60J

Stock Part: 2721

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT30D60BCTG

Stock Part: 10815

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT2X101D40J

Stock Part: 2756

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT30DQ60BHBG

Stock Part: 10044

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.4V @ 30A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT2X31S20J

Stock Part: 3575

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 45A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT30D60BCAG

Stock Part: 9826

Configuració del díode: 1 Pair Common Anode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 27A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT2X61D100J

Stock Part: 2817

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 55A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.5V @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT2X61DC60J

Stock Part: 1099

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 60A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT2X60DC60J

Stock Part: 1122

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 60A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT30D60BHBG

Stock Part: 9889

Configuració del díode: 1 Pair Series Connection, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 27A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT2X51DC60J

Stock Part: 1272

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 50A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 50A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT2X41DC60J

Stock Part: 1054

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 40A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT2X31DC60J

Stock Part: 1723

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 30A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT2X30DC60J

Stock Part: 1813

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 30A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT2X101S20J

Stock Part: 2725

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 120A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT15DQ60BCTG

Stock Part: 20940

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.4V @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT2X20DC60J

Stock Part: 1426

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 20A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT60DQ60BCTG

Stock Part: 11515

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.4V @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT2X21DC120J

Stock Part: 1510

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 20A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió

Microsemi Corporation

APT2X60D30J

Stock Part: 4471

Configuració del díode: 2 Independent, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

468

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»