Transistors: FET, MOSFET: senzill

Casa
Transistors: FET, MOSFET: senzill

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6210

Stock Part: 1260

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 85A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6202

Stock Part: 1191

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 24A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOL1242

Stock Part: 176114

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 69A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD425

Stock Part: 182656

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB298L

Stock Part: 1224

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 58A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD518

Stock Part: 1199

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 54A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD2610

Stock Part: 1252

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 46A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10.7 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD254

Stock Part: 125843

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 150V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), 28A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6246

Stock Part: 121397

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 80A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6408L

Stock Part: 1215

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Ta), 25A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6244

Stock Part: 1179

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 85A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6426

Stock Part: 6166

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 65A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6424

Stock Part: 1233

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 41A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6232

Stock Part: 132850

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 85A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6416

Stock Part: 1236

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 22A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW298

Stock Part: 1253

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 58A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW2918

Stock Part: 1195

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 90A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF298L

Stock Part: 1237

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 33A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF2918L

Stock Part: 1180

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 58A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4724

Stock Part: 1212

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 10.5A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4720

Stock Part: 6163

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 13A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4722

Stock Part: 1224

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 11.6A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4478

Stock Part: 1198

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4718

Stock Part: 1178

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4304

Stock Part: 1196

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4420A

Stock Part: 1227

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13.7A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 13.7A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4202

Stock Part: 1201

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 19A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD472A

Stock Part: 1204

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 46A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT2918L

Stock Part: 1187

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 90A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4423L

Stock Part: 158558

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 20V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 15A, 20V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4409

Stock Part: 164012

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF240L

Stock Part: 33209

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 85A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB416

Stock Part: 160428

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Ta), 45A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 7V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD3T40P

Stock Part: 141745

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 400V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 1A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6404

Stock Part: 984

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 85A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7416

Stock Part: 6139

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 40A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

1387

«
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
»