Transistors: FET, MOSFET: senzill | Productes de semiconductors discrets | 39

AO3438

Stock Part: 1446

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 3A, 4.5V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOU4N60

Stock Part: 83283

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 2A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7784

Stock Part: 6216

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7788

Stock Part: 1338

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 40A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT1606L

Stock Part: 1364

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 178A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7514

Stock Part: 1428

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 30A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT298L

Stock Part: 1396

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 58A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT1100L

Stock Part: 6203

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), 130A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7246

Stock Part: 189076

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 34.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7244

Stock Part: 1338

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7436

Stock Part: 1407

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 23A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6754

Stock Part: 1411

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 52A (Ta), 85A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6758

Stock Part: 173463

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), 32A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6514

Stock Part: 6196

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta), 30A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7210

Stock Part: 1423

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7202

Stock Part: 1421

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 40A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6508

Stock Part: 177908

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 29A (Ta), 32A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7200

Stock Part: 1367

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15.8A (Ta), 40A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4728

Stock Part: 1390

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4726

Stock Part: 1389

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4494

Stock Part: 114724

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 18A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2408

Stock Part: 134216

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 8A, 4.5V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4576

Stock Part: 176574

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6792

Stock Part: 127146

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 44A (Ta), 85A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4486

Stock Part: 133333

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 79 mOhm @ 3A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6558

Stock Part: 145266

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 28A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6411

Stock Part: 117506

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 47A (Ta), 85A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB262L

Stock Part: 1301

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 140A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7280

Stock Part: 115178

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 80V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6500

Stock Part: 102994

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 71A (Ta), 200A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB264L

Stock Part: 1272

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 140A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6206

Stock Part: 1197

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 24A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB1606L

Stock Part: 1257

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 178A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2407

Stock Part: 1250

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 37.5 mOhm @ 6.3A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6200L

Stock Part: 1226

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 24A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6204

Stock Part: 1229

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 24A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió